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박막 형성 방법 및 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015208859
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 형성 방법 및 발광 소자에 관한 것으로, GeO2가 도핑된 ZnO 타겟을 이용한 펄스 레이저 증착에 의해 GeZnO 박막을 형성하고, 이를 투명 전극으로 이용함으로써 ZnO 박막의 도핑에 의해 산소 공공이 억제되어 딥 레벨 방출을 방지할 수 있어 UV 광 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다. GeZnO, PLD, 게르마늄 옥사이드, 발광, 딥레벨 방출
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/28506(2013.01)H01L 21/28506(2013.01)H01L 21/28506(2013.01)
출원번호/일자 1020070130888 (2007.12.14)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0951616-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2009-0063505 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 푸카이샨 중국 부산광역시 부산진구
4 류국협 중국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0900443-12
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082305-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0088054-74
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
6 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0015473-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0405279-13
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0717905-35
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0717892-29
13 등록결정서
Decision to grant
2010.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0120380-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
GeO2가 도핑된 ZnO 타겟을 펄스 레이저 증착 챔버에 로딩한 후 기판을 로딩하는 단계; 상기 타겟에 펄스 레이저를 조사하여 상기 기판상에 GeZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 GeZnO 박막은 400℃ 내지 600℃의 온도에서 성장되며, 성장 온도가 높아질수록 저항률이 낮아지고 이동도가 상승하는 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, GeO2는 0
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 타겟은 GeO2 파우더와 ZnO 파우더를 볼을 갖는 플라스틱 콘테이너를 이용하여 혼합한 후 단축 가압 및 상온 정수합 성형하여 제작하는 박막 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 타겟을 1000 내지 1300℃의 퍼니스에서 3 내지 5시간 소결하는 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 챔버는 50 내지 200mTorr의 압력과 산소 분위기를 유지하는 박막 형성 방법
6 6
기판 상부의 소정 영역에 순차적으로 형성된 양극, 발광층 및 음극을 포함하며, 상기 양극은 GeZnO 박막으로 형성되고, 상기 GeZnO 박막은 GeO2가 도핑된 ZnO 타겟을 이용하여 400℃ 내지 600℃의 온도에서 성장되며, 성장 온도가 높아질수록 저항률이 낮아지고 이동도가 상승하는 발광 소자
7 7
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.