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4H-SiC 단결정 성장방법으로서,종자정 홀더에 종자정을 부착하는 단계와;상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 반응챔버에 설치된 도가니 내부 상측에 종자정이 아래로 향하도록 장착하는 단계와;상기 도가니 내부에 단결정 원료인 SiC 분말을 장입하는 단계와;상기 도가니 내부를 감압하고 가열하여 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 도가니는 통상의 도가니 길이로부터 40 내지 50mm 증가시킨 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니를 적용한 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 종자정은 6H-SiC 단결정을 사용하는 것을 특징으로 하는 6H-SiC 단결정 성장방법
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제2항에 있어서,상기 종자정 홀더에 대한 종자정의 부착을 위해 슈가(sugar) 카본 페이스트 및 포토레지스트를 접착제로 사용하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제2항에 있어서, 상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 하여 이루어진 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치
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제2항에 있어서,상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재 및 상기 단열재를 둘러싸는 반응챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제5항에 있어서,상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트인 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제5항에 있어서,상기 개량형 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싼 고주파 유도코일이 설치된 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2시간 내지 3시간 동안 가열하여 도가니에 포함된 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 불활성 가스를 도가니 내부 및 상기 도가니와 단열재 사이에 주입하여 남아 있는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 원료를 승화시키는 단계에서 본격적인 감암 및 가열에 의해 단결정 원료를 승화시키기 전에는, 상기 단결정 원료가 성장온도에 도달하기까지 대기압을 유지토록 한 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법
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제1항 내지 제10항의 4H-SiC 단결정 성장방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정
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통상의 도가니 길이보다 40 내지 50mm 증가된 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니와;종자정이 부착된 상태로 상기 개량형 도가니의 내부 상측에 장착되는 종자정 홀더와;상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재와;상기 개량형 도가니와 단열재를 수용하는 반응챔버와;상기 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싸 설치된 고주파 유도코일을 포함하여 구성되는 4H 단결정 성장장치
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제12항에 있어서, 상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치
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제12항에 있어서, 상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트가 복수층으로 구비된 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치
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