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금속 산화물 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015208891
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 산화물 박막의 형성 방법으로서, 하지층 상에 증착 및 증착 중단을 복수회 반복하여 형성하며, 증착 및 증착 중단의 반복 횟수가 증가할수록 결정성 및 표면 평탄도가 향상되는 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 전자 소자가 제시된다.
Int. CL H01S 5/02 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110072752 (2011.07.22)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0011531 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이근형 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0565835-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0027994-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0615989-29
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-1041490-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1041489-37
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0290157-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0571545-49
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0571546-95
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592824-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화물 박막의 형성 방법으로서,하지층 상에 증착 및 증착 중단을 복수회 반복하여 형성하는 금속 산화물 박막의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 산화 아연 박막을 포함하는 금속 산화물 박막의 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 마그네트론 스퍼터링 방식으로 형성하는 금속 산화물 박막의 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막은 상기 마그네트론 스퍼터링의 RF 파워의 인가 및 중단을 복수회 반복하거나, 타겟 셔터를 이용하여 타겟을 주기적으로 가리거나, 스퍼터링용 플라즈마 발생 가스의 공급 및 중단을 복수회 반복하여 형성하는 금속 산화물 박막의 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 증착 시간 및 중단 시간은 동일하거나 서로 다르게 조절하는 금속 산화물 박막의 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 증착 및 중단의 반복 횟수가 증가할수록 박막의 결정성 및 표면 평탄도가 향상되는 금속 산화물 박막의 형성 방법
7 7
하지층; 및상기 하지층 상에 형성되며 증착 및 증착 중단을 복수회 반복하여 형성된 금속 산화물 박막을 포함하는 전자 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 하지층은 기판, 절연층 또는 반도체층을 포함하는 전자 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막의 증착 및 증착 중단의 반복 횟수가 증가할수록 결정성 및 표면 평탄도가 향상되는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.