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원료가 장입되는 도가니;상기 도가니의 상부를 개폐하고 일면에 종자정 홀더가 형성된 도가니 덮개;상기 도가니를 가열하는 가열 수단; 및적어도 상기 도가니 내면에 형성된 탄탈륨층을 포함하는 단결정 성장 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 도가니의 내측 상부에 삽입되며 상기 도가니의 내측 중심 방향으로 돌출부가 형성된 가이드 링을 더 포함하는 단결정 성장 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 탄탈륨층은 상기 도가니 내면, 상기 도가니 덮개의 일면 및 상기 가이드 링 상에 형성되는 단결정 성장 장치
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 탄탈륨층은 상기 도가니 외면을 감싸도록 형성된 단결정 성장 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 탄탈륨층과 상기 도가니 내면, 도가니 덮개의 일면 및 가이드 링 사이에 형성된 코팅층을 더 포함하는 단결정 성장 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 코팅층은 상기 원료 물질의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질로 형성된 단결정 성장 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 코팅층은 실리콘카바이드, 금속 탄화물 및 금속 질화물의 적어도 어느 하나로 형성되는 단결정 성장 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 금속 탄화물은 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V의 하나 또는 적어도 둘 이상의 혼합물과 탄소가 이루는 탄화물로 형성되고, 상기 금속 질화물은 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V의 하나 또는 적어도 둘 이상의 물질과 질소가 이루는 질화물로 형성되는 단결정 성장 장치
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도가니의 내면에 탄탈륨층이 형성된 성장 장치를 마련하는 단계;종자정을 종자정 홀더 상면에 부착하는 단계;상기 종자정 홀더를 상기 도가니 내에 인입하는 단계; 및상기 도가니 내에 원료 물질을 장입한 후 승화시켜 상기 종자정 상에 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 종자정은 4H-SiC이고, 상기 종자정 홀더 상에 상기 종자정을 (000-1)면으로 부착하는 단결정 성장 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 단결정은 4H-SiC 단결정인 단결정 성장 방법
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