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탄화규소 박막 성장방법으로서, 기판을 마련하는 과정과;상기 기판을 챔버 내부에 로딩하는 과정과;상기 챔버 내의 분위기 및 기판 온도를 제어하는 과정; 및 상기 챔버 내에 Si2Cl6(HCDS) 및 Si2(CH3)6(HMDS)를 함유하는 공정 가스를 공급하여 상기 기판에 탄화규소 박막을 성장시키는 과정;을 포함하는 박막 성장방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 4H-SiC 웨이퍼(0001)인 박막 성장방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 기판은 7
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청구항 1에 있어서,상기 챔버에는 기판 온도를 제어하기 위한 발열체가 구비되며, 상기 기판은 상기 공정 가스가 공급되는 방향의 상기 발열체의 단부로부터 이격되어 장착되는 박막 성장방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 기판 온도는 1500 내지 1600℃ 범위로 제어되는 박막 성장방법
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청구항 1에 있어서,상기 공정 가스는 프로판 가스(C3H8)와 고순도 수소(H2)를 더 포함하는 박막 성장방법
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청구항 1, 청구항 2 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판에 탄화규소 박막을 성장시키는 과정 이전에 상기 기판 상부에 완충막을 형성하는 초기 처리과정을 더 포함하는 박막 성장방법
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청구항 7에 있어서,상기 초기 처리과정은 HMDS 및 프로판 가스 중 적어도 어느 하나를 이용하여 수행되는 박막 성장방법
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청구항 7에 있어서,상기 초기 처리과정과 상기 탄화규소 박막의 성장은 1600℃에서 수행되는 박막 성장방법
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청구항 6에 있어서,상기 원료 가스에서 Cl/Si의 비율은 0
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청구항 6에 있어서,상기 원료 가스에서 C/Si의 비율은 1
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청구항 1에 있어서,상기 탄화규소 박막은 4H-SiC 박막인 박막 성장방법
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청구항 7에 있어서,상기 탄화규소 박막의 성장률은 25㎛/h 내지 35㎛/h인 박막 성장방법
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