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기판;상기 기판 상에 형성된 반도체층;상기 기판과 반도체층 사이에 형성되며, 상기 반도체층의 성장중에 졸 및 겔상 중 어느 하나로 변하는 완충층을 포함하며,상기 반도체층은 N타입 도핑된 n-GaN막;상기 n-GaN막 상에 형성된 양자우물구조의 활성층;상기 활성층 상에 형성되고 p-타입 도핑된 p-GaN막을 포함하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 완충층과 반도체층 사이에 버퍼층을 포함하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 완충층은 상기 반도체층의 성장온도에 비해 낮은 융점을 갖는 재료로 형성되는 반도체 소자
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청구항 3에 있어서,상기 완충층은 GaSb막, InSb막 및 InN막 중 어느 하나를 포함하는 반도체 소자
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삭제
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삭제
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청구항 2에 있어서,상기 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 GaN막으로 형성되는 반도체 소자
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기판 상에 반도체층의 성장온도에 비해 낮은 융점을 갖는 완충층을 형성하는 단계;상기 기판을 상기 완충층의 융점에 비해 높은 온도로 가열하는 과정을 포함하여, 상기 완충층 상에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 완충층 상에 N타입 도핑된 n-GaN막을 형성하는 단계;상기 n-GaN막 상에 양자우물구조의 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 p-타입 도핑된 p-GaN막을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제작 방법
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청구항 8에 있어서,상기 기판 상에 완충층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 기판의 온도를 완충층의 융점 이하로 가열하는 반도체 소자의 제작 방법
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10
청구항 8에 있어서,상기 완충층 상에 반도체층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 기판을 완충층의 융점에 비해 낮은 온도로 가열하여 상기 기판에 수 ㎛ 이하의 반도체층을 형성한 후, 상기 기판을 완충층의 융점에 비해 높은 온도로 가열하여, 원하는 두께로 반도체층을 형성하는 반도체 소자의 제작 방법
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11
청구항 8에 있어서,상기 완충층 상에 반도체층을 형성하는 단계 전에, 상기 완충층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제작 방법
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12
청구항 8에 있어서,상기 완충층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 완충층은 분자빔에피택시(MBE) 공정을 통하여 형성하는 반도체 소자의 제작 방법
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13
청구항 11에 있어서,상기 완충층 상에 버퍼층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 완충층의 표면과 질소함유 가스를 기상 반응시켜, 상기 완충층 상에 버퍼층을 형성하는 반도체 소자의 제작 방법
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