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실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015208971
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 시드형 승화법의 종자정으로 이용되는 실리콘카바이드 기판 상부에 보호층을 형성한 후 실리콘카바이드 기판의 잔류 응력을 완화시키고 결정 격자를 회복시키기 위한 열처리 공정을 실시한다. 또한, 보호층은 수지 또는 포토레지스트 등의 탄소 성분을 함유하는 물질을 실리콘카바이드 기판 상부에 형성한 후 열처리 공정을 통해 형성하는 탄소층을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 실리콘카바이드 기판 상부에 보호층이 형성된 후 열처리 공정을 실시하게 되면 보호층이 실리콘 원자 우선 성장을 억제함으로써 실리콘카바이드 기판의 표면 거칠기의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 열처리 공정에 의해 실리콘카바이드 기판의 잔류 응력을 완화시키고, 결정 격자를 회복시킬 수 있다. 실리콘카바이드, 열처리, 잔류 응력, 탄소층, 유기 물질, 탄화, 산화제거
Int. CL H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020080007062 (2008.01.23)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0951617-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2009-0081137 (2009.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20100409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신병철 대한민국 부산 부산진구
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 최종문 대한민국 경남 양산시
4 여임규 대한민국 경상남도 거제시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0056554-07
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177515-86
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0214972-30
4 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0053854-67
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039680-96
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0362028-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0666042-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0666033-52
11 등록결정서
Decision to grant
2010.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0067166-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘카바이드 기판 상부에 유기 물질을 도포하는 단계; 제 1 온도의 열처리 공정으로 상기 유기 물질을 탄화시켜 탄소층을 형성하는 단계; 상기 실리콘카바이드 기판에 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도의 열처리 공정을 실시하는 단계; 및 상기 탄소층을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 실리콘카바이드 기판은 결정 성장면이 헥사고날 구조, 큐빅 구조, 롬보히드랄 구조 중 어느 한 구조를 가지는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 실리콘카바이드 기판의 결정 성장면이 헥사고날 구조일 경우에는 {0001}, {0001-}, {1100}, {1120} 및 {0338} 중의 어느 한 방위를 가지고, 상기 큐빅 구조일 경우에는 결정 성장면이 {100}, {110} 및 {111} 중의 어느 한 방위를 가지며, 롬보히드랄 구조일 경우에는 결정 성장면이 {100}, {110} 및 {111} 중의 어느 한 방위를 가지는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 온도의 열처리 공정은 아르곤 또는 질소 가스 분위기와 대기압에서 600 내지 1000℃의 온도와 1시간 내지 10시간 동안 실시하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 온도의 열처리 공정은 아르곤 또는 질소 가스 분위기와 대기압에서 1400 내지 1600℃의 온도와 60분 내지 120분 동안 실시하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 탄소층은 상기 탄소층을 산화시켜 제거하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 실리콘카바이드 기판 상부에 산화 반응으로 형성된 산화층을 제거하는 단계를 더 포함하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 탄소층은 식각 공정으로 제거하는 실리콘카바이드 기판의 표면 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.