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다중벽 탄소 나노튜브(MWNT)가 카르복실산기에 의해 산화된 카르복실화 다중벽 탄소 나노튜브에 카드뮴 텔루라이드(CdTe) 나노입자가 결합된 다중벽 탄소 나토튜브 복합체
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제1항에 있어서,상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자는 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브에 결합되기 이전에 알킬티올(alkylthiol)에 의해 안정화되는 것을 특징으로 하는 복합체
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제2항에 있어서,상기 알킬티올은 2-다이메틸아미노 에탄티올 하이드로클로라이드(2-(dimethylamino) ethanethiol hydrochloride)인 것을 특징으로 하는 복합체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브에 결합된 형태는 상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브 표면에 분산된 형태인 것을 특징으로 하는 복합체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브에 결합된 형태는 상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브의 측벽(sidewalls)에 부착된 형태인 것을 특징으로 하는 복합체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브는 개별 나노튜브가 10 내지 50개의 묶음(bundles)으로 존재하는 것을 특징으로 하는 복합체
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제6항에 있어서,상기 개별 나노튜브의 직경은 4 ~ 20 nm 이고 길이는 10 ~ 20 μm 인 것을 특징으로 하는 복합체
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카드뮴 텔루라이드(CdTe) 나노입자가 결합된 다중벽 탄소 나토튜브 복합체의 제조방법으로서,다중벽 탄소 나노튜브(MWNT)를 카르복실산기에 의해 산화시켜 카르복실화 다중벽 탄소 나노튜브를 생성하는 단계; 및상기 카르복실화 다중벽 탄소 나노튜브에 카드뮴 텔루라이드(CdTe) 나노입자를 혼합하여 카드뮴 텔루라이드(CdTe) 나노입자가 결합된 다중벽 탄소 나노튜브 복합체를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 복합체를 생성하는 단계 이전에,상기 카드뮴 텔루라이드(CdTe) 나노입자를 알킬티올(alkylthiol)에 의해 안정화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제9항에 있어서,상기 알킬티올은 2-다이메틸아미노 에탄티올 하이드로클로라이드(2-(dimethylamino) ethanethiol hydrochloride)인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브에 결합된 형태는 상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브 표면에 분산된 형태인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브에 결합된 형태는 상기 카드뮴 텔루라이드 나노입자가 상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브의 측벽(sidewalls)에 부착된 형태인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카르복실화 다중벽 탄소 나토튜브는 개별 나노튜브가 10 내지 50개의 묶음(bundles)으로 존재하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제13항에 있어서,상기 개별 나노튜브의 직경은 4 ~ 20 nm 이고 길이는 10 ~ 20 μm 인 것을 특징으로 하는 제조방법
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