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종자정 처리 방법 및 단결정 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015208984
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 종자정 처리 방법은 종자정을 세정하는 단계와, 종자정 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계와, 종자정의 일면에 탄화막을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 의하면 산화막에 의해 종자정 홀더와 종자정 사이의 결합계면에 미세 채널 및 기공 등의 불연속적인 결함이 발생되는 것을 억제할 수 있음에 따라, 결함이 없는 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있다. 실리콘카바이드, 종자정, 표면처리, 단결정
Int. CL C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) G03F 7/16 (2006.01)
CPC C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01) C30B 23/002(2013.01)
출원번호/일자 1020090009621 (2009.02.06)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1081598-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자 10-2010-0090387 (2010.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.06)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종문 대한민국 경남 양산시
2 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
3 신병철 대한민국 부산 부산진구
4 구갑렬 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0074311-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043330-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0099285-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0298268-45
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0298267-00
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0638111-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
H2SO4와 H2O2가 혼합된 혼합 용액을 이용하여 종자정을 세정하는 단계; 상기 H2SO4와 H2O2가 혼합된 혼합 용액에 HF를 추가 혼합하여, 상기 종자정을 세정하는 단계; 상기 종자정 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계; 상기 종자정의 일면에 탄화막을 형성하는 단계를 포함하는 종자정 처리 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 탄화막은 후속공정에서 성장장치의 종자정 홀더와 결합되는 종자정의 일면에 형성하는 종자정 처리 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 탄화막을 형성하는 단계는 상기 종자정의 일면에 포토레지스트를 도포하는 단계 및 상기 포토레지스트를 열처리하는 단계를 포함하는 종자정 처리 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 포토레지스트를 600℃ 내지 1000℃의 온도에서 열처리하는 종자정 처리 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 종자정은 실리콘카바이드를 포함하는 종자정 처리 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 종자정 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계 후에, 상기 종자정 표면에 잔류하는 결함을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 종자정 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계는, HF 수용액으로 상기 종자정을 처리하고, 탈이온수로 상기 종자정을 처리하여 상기 종자정에 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 종자정 표면에 잔류하는 결함을 제거하는 단계는, TMAH 용액으로 상기 종자정을 처리하고, 탈이온수로 상기 종자정을 처리하여 상기 종자정 표면에 형성된 결함을 제거하는 단계를 포함하는 종자정 처리 방법
7 7
H2SO4와 H2O2가 혼합된 혼합 용액을 이용하여 종자정을 세정하는 단계; 상기 H2SO4와 H2O2가 혼합된 혼합 용액에 HF를 추가 혼합하여, 상기 종자정을 세정하는 단계를 포함하도록 상기 종자정을 표면처리하는 단계; 상기 종자정의 일면에 탄화막을 형성하는 단계; 상기 탄화막이 형성된 상기 종자정의 일면이 성장장치의 종자정 홀더와 결합되도록 부착하고, 도가니 내부에 단결정 원료를 장입하는 단계; 상기 도가니를 성장 온도로 가열하여 상기 단결정 원료를 승화시킴으로써, 승화된 원료 기체가 상기 종자정에서 결정화되도록하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법
8 8
청구항 7에 있어서, HF 수용액과 탈이온수를 이용하여 상기 종자정 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.