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AlxGa1-xN 조성의 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 AlyGa1-yN 조성의 배리어층; 및상기 배리어층 위에 형성된 AlzGa1-zN 조성의 캡층을 포함하며,알루미늄 농도 x, y 및 z가 0≤z003c#x003c#y≤1관계인 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층에 접하는 상기 배리어층의 계면에 2차원 전자가스(2-DEG)층이 형성된 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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청구항 1에 있어서,상기 배리어층와 상기 캡층 사이의 음의 분극전위가 상기 배리어층과 상기 버퍼층 사이의 양의 분극전위를 상쇄하여, 양의 문턱전압을 갖는 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층의 두께가 상기 배리어층 및 상기 캡층의 두께에 비하여 두꺼운 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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5
청구항 1에 있어서,상기 캡층이 상부와 하부로 구성되고, 상부가 하부에 비하여 상대적으로 적게 도핑되거나 도핑되지 않은 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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6
청구항 5에 있어서,상기 캡층의 도핑량이 하부에서 상부로 올라갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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7
청구항 1에 있어서,상기 캡층의 위에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되되, 상기 캡층의 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 영역과 주변이 식각된 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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8
청구항 1에 있어서,상기 캡층 위에 게이트 전극이 형성되며, 상기 캡층과 게이트 전극의 사이에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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9
AlxGa1-xN 조성의 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 AlyGa1-yN 조성의 배리어층; 및상기 배리어층 중앙부 위에 형성된 AlzGa1-zN 조성의 캡층;상기 캡층이 형성되지 않은 배리어층 위에 형성된 소스 전극 과 드레인 전극; 및상기 캡층 위에 형성된 게이트 전극을 포함하며, 알루미늄 농도 x, y 및 z가 0≤z003c#x003c#y≤1 관계인 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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10
청구항 9에 있어서,상기 버퍼층에 접하는 상기 배리어층의 계면에 2차원 전자가스(2-DEG)층이 형성된 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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11
청구항 9에 있어서,상기 버퍼층의 두께가 상기 배리어층 및 상기 캡층의 두께에 비하여 두꺼운 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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12
청구항 9에 있어서,상기 캡층이 상부와 하부로 구성되고, 상부가 하부에 비하여 상대적으로 적게 도핑되거나 도핑되지 않은 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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13
청구항 12에 있어서,상기 캡층의 도핑량이 하부에서 상부로 올라갈수록 점진적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 AlGaN계 HFET
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청구항 9에 있어서,상기 캡층과 상기 게이트 전극 사이에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는AlGaN계 HFET
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