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인듐 전구체와 인 전구체를 이용한 용매열 방법을 통해 InP 코어 양자점을 합성하는 단계; 및상기 InP 코어 양자점에 아연 전구체와 황 전구체를 혼합하여 추가적인 용매열 방법을 통해 상기 InP 코어 양자점에 ZnS 쉘 층을 형성하는 단계;를 포함하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 InP 코어 양자점을 합성하는 단계는,반응기에 인듐 전구체와 용매를 넣어 혼합물을 만드는 단계;상기 반응기 내의 혼합물에 인 전구체를 첨가하는 단계; 및상기 반응기를 가열해 InP 양자점 용액을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 염화인듐(InCl3)이고 상기 인 전구체는 트리스(디메틸아미노)포스핀인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제2항에 있어서, 상기 InP 양자점 용액을 얻는 단계는 180℃에서 24 시간 동안의 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제2항에 있어서, 상기 ZnS 쉘 층을 형성하는 단계는, 상기 반응기 안의 InP 양자점 용액에 아연 전구체와 황 전구체를 첨가하는 단계; 및상기 반응기를 가열해 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 용액을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제1항 또는 제2항 또는 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아연 전구체는 스테아르산아연(Zn stearate)이고 황 전구체는 도데칸티올(dodecanethiol)인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제1항 또는 제2항 또는 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 아연 전구체는 스테아르산아연(Zn stearate), 올레산염 아연(Zn oleate), 라우린산 아연(Zn laurate), 팔미틴산 아연(Zn palmitate) 및 미리스틴산 아연(Zn myristate) 중 어느 하나이고, 상기 황 전구체는 티올(thiol)이 함유된 화합물인 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제5항에 있어서, 상기 아연 전구체는 스테아르산아연(Zn stearate)이고 황 전구체는 도데칸티올(dodecanethiol)이며, 상기 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 용액을 얻는 단계는 150 ℃ 내지 250 ℃에서 1 시간 내지 48 시간 동안의 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제5항에 있어서, 상기 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 용액에 클로로폼과 메탄올을 첨가한 후 원심분리기를 이용하여 부산물을 제거하는 정제 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제5항에 있어서, 상기 InP/ZnS 코어-쉘 양자점 용액에 클로로폼과 메탄올을 첨가하되 메탄올을 점진적으로 늘려주어 원심분리기를 통해 상대적으로 크기가 큰 양자점부터 순차적으로 침전시키는 크기-선별 침전(size-selective precipitation) 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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제1항에 있어서, 상기 인듐 전구체와 아연 전구체의 몰 비를 1:2 내지 1:12로 하는 것을 특징으로 하는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
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