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반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저(interposer)에 Deep RIE(Reactive Ion Etching) 또는 레이저를 이용하여 일정한 깊이를 갖는 비아 구멍을 형성하는 단계와; 비아 구멍의 표면에 절연층을 형성하는 단계와; 비아 구멍에 UBM 층을 형성하는 단계와; 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저를 용융금속의 용탕에 넣고 대기압 이상의 압력으로 가압하여 비아 구멍 내로 용융금속을 가압주입하는 단계와; 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저의 뒷면을 연마하여 관통-실리콘-비아를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 비아 구멍에 가압주입하는 용융 금속으로는 주석(Sn), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 납(Pb), 금(Au), 니켈(Ni) 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 금속 조성을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 비아 구멍에 가압주입하는 용융 금속으로는 주석(Sn)에 은(Ag), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 납(Pb), 금(Au) 중에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 함유된 솔더 조성을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 비아 구멍에 가압주입하는 용융 금속으로는 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택된 둘 또는 셋 모두 함유된 합금 조성을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 비아 구멍에 형성하는 UBM 층은 티타늄/구리, 티타늄/니켈/구리, 티타늄/니켈, 크롬/구리, 크롬/니켈, 탄탈륨/구리, 탄탈륨/니켈을 비롯하여 전기전도체인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 선택된 어느 한 금속 또는 이들 중에서 선택된 둘이나 그 이상의 금속들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저 표면에서 비아 구멍 부위를 제외한 부위에는 주석이나 솔더 또는 주석합금과 반응하지 않는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 알루미늄(Al)으로 비젖음(non-wetting) 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저에 형성하는 비아 구멍들은 서로 다른 직경이나 크기 또는 서로 다른 깊이 또는 서로 다른 aspect 비를 갖는 비아 구멍들로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 비아 구멍 내에 UBM 층을 형성하는 단계를 생략하는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서 반도체 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저를 용융금속의 용탕에 장입하기 전에 가압주입장치의 챔버내를 진공으로 유지하는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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상기 청구항 1에 있어서, 용융금속을 비아 구멍 내로 가압주입하기 위한 주입압력 인가용 가스로서 질소 가스 또는 알곤(Ar) 가스 또는 헬륨(He) 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-실리콘-비아의 형성방법
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11
유리 기판 또는 유리 인터포저(interposer)에 sand blast 공정으로 일정한 깊이를 갖는 비아 구멍을 형성하는 단계와; 비아 구멍의 표면에 절연층을 형성하는 단계와; 비아 구멍에 UBM 층을 형성하는 단계와; 유리 기판 또는 유리 인터포저를 용융금속의 용탕에 넣고 대기압 이상의 압력으로 가압하여 비아 구멍 내로 용융금속을 가압주입하는 단계와; 유리 기판 또는 유리 인터포저의 뒷면을 연마하여 관통-실리콘-비아를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-유리-비아 형성방법
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상기 청구항 11에 있어서 비아 구멍 내에 UBM 층을 형성하는 단계를 생략하는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 관통-유리-비아의 형성방법
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13
반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저에 Deep RIE(Reactive Ion Etching) 또는 레이저를 이용하여 일정한 깊이를 갖는 비아 구멍을 형성하는 단계와; 비아 구멍의 표면에 절연층을 형성하는 단계와; 비아 구멍에 UBM 층을 형성하는 단계와; 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저를 용융금속의 용탕에 넣고 대기압 이상의 압력으로 가압하여 비아 구멍 내로 용융금속을 가압주입하는 단계와; 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저의 뒷면을 연마하여 관통-실리콘-비아를 형성하는 단계와; 관통-실리콘-비아가 구비된 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저에 칩스택을 위한 범프 또는 UBM (Under Bump Metallurgy) 또는 금속 패드를 형성하는 단계와; 관통-실리콘-비아가 구비된 반도체 칩 또는 반도체 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저들을 스택 본딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지
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상기 청구항 13에 있어서 비아 구멍 내에 UBM 층을 형성하는 단계를 생략하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 칩 스택 패키지
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실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저에 Deep RIE(Reactive Ion Etching) 또는 레이저를 이용하여 일정한 깊이를 갖는 비아 구멍을 형성하는 단계와; 비아 구멍의 표면에 절연층을 형성하는 단계와; 비아 구멍에 UBM 층을 형성하는 단계와; 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저를 용융금속의 용탕에 넣고 대기압 이상의 압력으로 가압하여 비아 구멍 내로 용융금속을 가압주입하는 단계와; 뒷면연마 단계를 거쳐 형성한 관통-실리콘-비아를 구비한 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 인터포저를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) 패키지
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상기 청구항 15에 있어서 비아 구멍 내에 UBM 층을 형성하는 단계를 생략하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 패키지
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17
유리 기판 또는 유리 인터포저에 sand blast 공정을 이용하여 일정한 깊이를 갖는 비아 구멍을 형성하는 단계와; 비아 구멍의 표면에 절연층을 형성하는 단계와; 비아 구멍에 UBM 층을 형성하는 단계와; 유리 기판 또는 유리 인터포저를 용융금속의 용탕에 넣고 대기압 이상의 압력으로 가압하여 비아 구멍 내로 용융금속을 가압주입하는 단계와; 뒷면연마 단계를 거쳐 형성한 관통-비아를 구비한 유리 기판 또는 유리 인터포저를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 MEMS 패키지
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18
상기 청구항 17에 있어서 비아 구멍 내에 UBM 층을 형성하는 단계를 생략하는 것을 특징으로 하는 MEMS 패키지
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반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 실리콘 인터포저 또는 유리기판에 Deep RIE 또는 레이저 또는 sand blast 공정으로 형성한 비아 구멍에 용융금속을 대기압 이상의 압력으로 가압주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 금속비아 형성장비
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반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 실리콘 인터포저 또는 유리기판에 Deep RIE 또는 레이저 또는 sand blast 공정으로 형성한 비아 구멍에 용융금속을 대기압 이상의 압력으로 가압주입하며 압력균형장치(pressure balancing load)가 장착되어 있어 용융금속의 가압주입 후에 주입가스압력을 유지하면서 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 실리콘 인터포저 또는 유리기판을 용융금속의 용탕에서 꺼낼 수 있는 것을 특징으로 하는 용융금속의 가압주입법을 이용한 금속비아 형성장비
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