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다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 투명 박막트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의한 박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015209386
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막트랜지스터를 제조함에 있어 얇고 투명한 소자를 만들기 위한 메탈 전극만을 사용하여 탑 컨택 방법 또는 탑 게이트 방법으로 박막트랜지스터를 제조함으로써, 마스크를 이용한 메탈의 열 증착이 가능해져 추가 공정이 필요 없어 종래의 ITO전극과 동등한 성능을 구현하면서도 생산공정을 간소화하고, 열에 따른 공정상 위험요소를 제거하여 유리 및 플라스틱기판의 형성에 있어서 열증착공정만으로 낮은 온도로 공정이 가능하게 되어 추가 장비의 설비가 필요하지 않음으로 인하여 생산비용이 절감되며, 향후 유리 및 PET, PES, PI, PS, PC 등의 플라스틱에도 적용이 매우 용이한 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터의 제조 방법 및 그 방법에 의한 박막트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자 1020120039414 (2012.04.16)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0116751 (2013.10.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 형건우 대한민국 서울 관악구
2 김영관 대한민국 서울 중구 청구로*
3 김우영 대한민국 경기 김포시 청송로 **, **
4 구자룡 대한민국 서울특별시 마포구
5 이석재 대한민국 경기 성남시 분당구
6 이호원 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조철현 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-* *층(역삼동, 신도빌딩)(우리특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0301790-74
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-5013013-33
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0307149-67
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036622-61
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0417146-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0747348-89
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0851556-31
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0950120-94
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0950052-87
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0893321-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탑-컨택 방법의 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서,유리 또는 플라스틱으로 기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제1게이트층을 형성하는 단계,상기 제1게이트층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 제2게이트층을 형성하는 단계,상기 제2게이트층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제3게이트층을 형성하는 단계에 의하여 전원과 연결되는 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트의 상측에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 상측에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제1소스층을 형성하는 단계,상기 제1소스층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 제2소스층을 형성하는 단계,상기 제2소스층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제3소스층을 형성하는 단계에 의하여 전원의 양극과 연결되는 소스를 형성하는 단계; 및상기 절연층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제1드레인층을 형성하는 단계,상기 제1드레인층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 제2드레인층을 형성하는 단계,상기 제2드레인층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제3드레인층을 형성하는 단계에 의하여 전원과 연결되는 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 게이트의 제1게이트층, 제2게이트층, 제3게이트층은 열증착공정 또는 포토리소공정을 이용하여 패터닝하고, 상기 절연층과 상기 반도체층을 스퍼터링 방법 또는 스핀코팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 소스 및 드레인의 제1소스층, 제2소스층, 제3소스층, 제1드레인층, 제2드레인층 및 제3드레인층을 열증착공정 또는 쉐도우 마스크를 사용하여 패터링하여 형성한 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터의 제조 방법
4 4
탑-컨택 방법으로 제조된 박막트랜지스터에 있어서,유리 또는 플라스틱으로 제조한 기판;상기 기판의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제1게이트층,상기 제1게이트층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 형성된 제2게이트층,상기 제2게이트층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제3게이트층을 포함하여전원과 연결되는 게이트;상기 게이트의 상측에 형성된 절연층;상기 절연층의 상측에 형성된 반도체층;상기 반도체층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제1소스층,상기 제1소스층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 형성된 제2소스층,상기 제2소스층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제3소스층으로 이루어져 전원과 연결되는 소스; 및상기 절연층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제1드레인층,상기 제1드레인층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 형성된 제2드레인층,상기 제2드레인층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제3드레인층으로 이루어져 전원과 연결되는 드레인;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터
5 5
제 4 항에 있어서,상기 게이트의 제1게이트층, 제2게이트층, 제3게이트층은 열증착공정 또는 포토리소공정을 이용하여 패터닝하고, 상기 절연층과 상기 반도체층을 스퍼터링 방법 또는 스핀코팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 소스 및 드레인의 제1소스층, 제2소스층, 제3소스층, 제1드레인층, 제2드레인층 및 제3드레인층을 열증착공정 또는 쉐도우 마스크를 사용하여 패터링하여 형성한 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막의 투명전극을 포함하는 탑-컨택 방법의 박막트랜지스터
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1 교육과학기술부 홍익대학교 산학협력단 2단계 연구중심대학 육성(0.5) 최첨단 정보디스플레이 소재 전문 인력 양성 사업