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LED의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 제1 양자점이 포함된 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트;상기 제1 양자점과는 다른 종류의 제2 양자점이 포함된 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트; 및상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트 사이에 형성되어 상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 물리적으로 격리시키는 버퍼층을 포함하고,상기 버퍼층은 PVP(polyvinylpyrrolidone) 및 PVA(polyvinyl alcohol)를 포함하는 혼합 고분자 버퍼층인 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 제1 양자점은 주황색 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점이고, 상기 제2 양자점은 녹황색 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점이며, 상기 고분자는 PMMA인 것을 특징으로 하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 양자점은 서로 다른 발광 파장을 보이는 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점, ZnCdSe/ZnS 코어/쉘 양자점 또는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점이거나 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트
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(a) LED의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 제1 양자점이 포함된 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트를 형성하는 단계;(b) 상기 제1 양자점과는 다른 종류의 제2 양자점이 포함된 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 형성하는 단계; 및(c) 버퍼층을 매개로 하여 상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트와 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 집적하는 단계를 포함하고,상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트와 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 집적하는 단계는,상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트 상에 PVP 및 PVA가 용해된 용액을 코팅하고 건조시켜 혼합 고분자 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 혼합 고분자 버퍼층 상에 상기 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 배치하는 단계를 포함하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
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(a) LED의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 제1 양자점이 포함된 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트를 형성하는 단계;(b) 상기 제1 양자점-고분자 복합체 플레이트 상에 PVP 및 PVA가 용해된 용액을 코팅하고 건조시켜 혼합 고분자 버퍼층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 혼합 고분자 버퍼층 상에 상기 제1 양자점과는 다른 종류의 제2 양자점이 포함된 제2 양자점-고분자 복합체 플레이트를 형성하는 단계를 포함하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
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제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 양자점-고분자 복합체 플레이트는 양자점, 고분자 및 용매를 포함하는 양자점-고분자 혼합 용액을 형성한 후 이를 건조시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
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제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 양자점은 주황색 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점이고, 상기 제2 양자점은 녹황색 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점인 것을 특징으로 하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
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제5항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 양자점은 서로 다른 발광 파장을 보이는 CuInS2/ZnS 코어/쉘 양자점, ZnCdSe/ZnS 코어/쉘 양자점 또는 InP/ZnS 코어/쉘 양자점이거나 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
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반도체 적층체로 이루어진 LED; 및제1항에 기재된 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트를 포함하는 발광소자
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제11항에 있어서, 상기 제1 양자점과 제2 양자점 중 발광 파장이 긴 양자점이 상기 LED 쪽을 향하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광소자
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반도체 적층체로 이루어진 LED를 마련하는 단계; 상기 LED 상에 제1항에 기재된 이중 양자점-고분자 복합체 플레이트를 배치하는 단계; 및몰딩 수지로 봉지하는 단계를 포함하는 발광소자 제조 방법
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