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비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015209397
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 버퍼층, 버퍼층 상에 배치되는 배리어층, 배리어층 상의 일부에 배치되는 전하저장층, 전하저장층을 둘러싸도록 배치되는 절연막, 배리어층의 양단에 배치되는 소스/드레인 전극 및 절연막 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하고, 비휘발성 메모리 소자의 제조방법은 기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계, 캡층의 일부를 식각하여 전하저장층을 형성하는 단계, 적층 구조물의 전면에 절연막을 형성하는 단계, 상기 배리어층이 노출되도록 상기 절연막을 식각하여, 상기 배리어층의 양단에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써 자연적으로 생성되는 2차원 전자 가스층에 집합된 전자들을 저장하여 메모리 특성을 나타낼 수 있으며, 간단하고 용이하게 구조가 개선된 메모리 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020120106291 (2012.09.25)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1395374-0000 (2014.05.08)
공개번호/일자 10-2014-0039721 (2014.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차호영 대한민국 서울 송파구
2 이재길 대한민국 대전 서구
3 서광석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0777070-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0043731-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0771595-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0015421-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0015438-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0267836-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배치되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 배치되는 배리어층;상기 배리어층 상의 일부에 배치되는 전하저장층;상기 전하저장층을 둘러싸도록 배치되는 절연막; 상기 배리어층의 양단에 배치되는 소스/드레인 전극; 및상기 절연막 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하며,상기 버퍼층은 AlxGa1-xN층이고, 상기 배리어층은 AlyGa1-yN층 (0003c#x003c#y003c#1)이며,상기 전하저장층은 GaN층, InGaN층, 또는 상기 배리어층보다 알루미늄의 몰분율이 작은 AlzGa1-zN층(0003c#z003c#y003c#1)인 비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 전하저장층은 상기 절연막을 두고 상기 게이트 전극과 마주보도록 배치되며, 상기 절연막에 의해 고립되는 비휘발성 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 버퍼층과 상기 배리어층의 계면에 2차원 전자 가스(2DEG)층이 형성되는 비휘발성 메모리 소자
4 4
기판; 상기 기판 상에 배치되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 배치되는 배리어층;상기 배리어층 상의 일부에 배치되는 전하저장층;상기 전하저장층을 둘러싸도록 배치되는 절연막; 상기 배리어층의 양단에 배치되는 소스/드레인 전극; 및상기 절연막 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하며,상기 버퍼층과 상기 배리어층 사이에 스페이서층을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 전이층을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계;상기 캡층의 일부를 식각하여 전하저장층을 형성하는 단계;상기 적층 구조물의 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 배리어층이 노출되도록 상기 절연막을 식각하여, 상기 배리어층의 양단에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 버퍼층은 AlxGa1-xN층이고, 상기 배리어층은 AlyGa1-yN층 (0003c#x003c#y003c#1)이며,상기 전하저장층은 GaN층, InGaN층, 또는 상기 배리어층보다 알루미늄의 몰분율이 작은 AlzGa1-zN층(0003c#z003c#y003c#1)인 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계와, 상기 캡층의 일부를 식각하여 전하저장층을 형성하는 단계 사이에 상기 적층 구조물을 격리하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 캡층의 일부를 식각하여 전하저장층을 형성하는 단계는, 상기 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 마주보는 영역을 제외한 영역의 상기 캡층을 식각하여 상기 절연막에 의해 둘러싸이는 전하저장층을 형성하는 단계인 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
11 11
기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계;상기 캡층의 일부를 식각하여 전하저장층을 형성하는 단계;상기 적층 구조물의 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 배리어층이 노출되도록 상기 절연막을 식각하여, 상기 배리어층의 양단에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층 상에 상기 배리어층을 적층하기 전에 상기 버퍼층 상에 스페이서층을 적층하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 기판 상에 버퍼층, 배리어층 및 캡층을 순차 적층하여 적층 구조물을 형성하는 단계에서,상기 기판 상에 상기 버퍼층을 적층하기 전에 상기 기판 상에 전이층을 적층하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
13 13
제8항에 있어서,상기 적층 구조물은 질화물계 반도체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육기술과학부 홍익대학교 원천기술개발사업(나노소재기술-나노소재 원천기술개발사업) GaN와 Si의 이종 집적화 기술 개발