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산화 아연 분말과 그라파이트 분말이 순차적으로 적층된 보트를 마련하는 단계와;
씨앗층이 형성된 기판을 마련하는 단계와;
상기 보트와 상기 기판을 반응관 내에 수직 정렬시키는 단계와;
상기 산화 아연 분말과 그라파이트를 환원반응하여 아연 가스를 생성시킨 후 그 아연 가스와 상기 반응관 내에 유입된 산소가스가 반응하여 상기 기판 상에 산화 아연 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 산화 아연 나노 구조체를 형성하는 단계는
아르곤의 유량이 50~150sccm이고, 상기 산소 가스의 유량이 0
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제 1 항에 있어서,
상기 산화 아연 분말과 상기 그라파이트 분말은 상기 보트 내에 1~4:1의 중량비로 적층되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 보트와 상기 기판을 상기 반응관 내에 수직 정렬시키는 단계는
상기 기판을 상기 그라파이트 분말 표면으로부터 5~10mm 수직 방향으로 이격시키는 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 씨앗층은 산화 아연 또는 갈륨이 도핑된 산화 아연 박막이 상기 기판 상에 50nm~1㎛두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 방법
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반응관과;
상기 반응관의 내부 온도를 일정하게 유지하도록 제어하는 반응로와;
상기 반응관의 내측에 위치하며 산화 아연 분말과 그라파이트 분말이 순차적으로 적층되어 있는 보트와;
상기 보트 상에 상기 원료 분말과 마주보도록 형성되는 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 장치
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제 6 항에 있어서,
상기 산화 아연 분말과 상기 그라파이트 분말은 상기 보트 내에 1~4:1의 중량비로 적층되는 것을 특징으로 하는 산화물 나노 구조체의 제조 장치
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제 6 항에 있어서,
상기 기판은 상기 그라파이트 분말 표면으로부터 5~10mm 수직 방향으로 이격되는 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 장치
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제 6 항에 있어서,
상기 기판은 산화 아연 또는 갈륨이 도핑된 산화 아연 박막이 50nm~1㎛두께로 증착된 기판인 것을 특징으로 하는 산화 아연 나노 구조체의 제조 장치
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제 6 항에 있어서,
상기 반응관에 유량이 50~150sccm인 아르곤 가스와, 유량이 0
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