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스위칭 소자의 게이트를 구동하는 게이트 드라이버에 있어서,스위칭 소자;상기 스위칭 소자를 스위칭 하는 신호 전압을 입력 받는 신호 입력단;일단은 상기 신호 입력단의 (+)단에 연결되고 타단은 상기 스위칭 소자의 게이트에 연결되는 캐패시터; 및일단은 상기 캐패시터의 타단과 상기 게이트와 연결되고 타단은 상기 신호 입력단의 (-)단에 연결되는 다이오드를 포함하고,상기 스위칭 소자는 노멀리-온(normally-on) 동작을 하는 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 1에 있어서,상기 스위칭 소자는 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor: MESFET), 고전자이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT), HFET(heterojunction field-effect transistor) 및 JFET(Junction Field Effect Transistor) 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 1에 있어서,상기 다이오드의 애노드는 상기 캐패시터의 타단과 상기 스위칭 소자의 게이트에 연결되고 상기 다이오드의 캐소드는 상기 신호 입력단의 (-)단에 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 1에 있어서,상기 스위칭 소자, 상기 다이오드 및 상기 캐패시터는 각각 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩으로 연결되거나 모놀리식하게 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 5에 있어서,상기 스위칭 소자 및 상기 다이오드는 모놀리식하게 구현되고 상기 캐패시터는 상기 스위칭 소자 및 상기 다이오드에 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 5에 있어서,상기 스위칭 소자 및 상기 캐패시터는 모놀리식하게 구현되고 상기 다이오드는 상기 스위칭 소자 및 상기 캐패시터에 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 5에 있어서,상기 다이오드 및 상기 캐패시터는 모놀리식하게 구현되고 상기 스위칭 소자는 상기 다이오드 및 상기 캐패시터에 와이어 본딩 또는 플립 칩 본딩으로 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 5에 있어서,상기 스위칭 소자, 상기 다이오드 및 상기 캐패시터는 모두 모놀리식하게 제조되어 연결되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 6에 있어서,상기 캐패시터는 칩 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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청구항 1에 있어서,상기 캐패시터의 용량은 상기 캐패시터가 전압을 방전하는데 걸리는 시정수가 상기 신호 전압의 주기보다 큰 값을 가지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 게이트 드라이버
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