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(a) 비정질 실리콘 박막의 상면의 적어도 일부가 노출되도록 상기 비정질 실리콘 박막의 상면에 자기조립단분자막을 형성하는 단계;(b) 상기 자기조립단분자막의 상면과 상기 비정질 실리콘 박막의 노출된 상면에 니켈 산화물 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 자기조립단분자막과 상기 자기조립단분자막의 상면에 형성된 니켈 산화물 박막을 제거하는 단계; 및(d) 상기 비정질 실리콘 박막의 노출된 상면에 형성된 니켈 산화물 박막을 이용하여 상기 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 단계를 포함하며,상기 (d) 단계는,상기 비정질 실리콘 박막의 상면 중 니켈 산화물 박막이 형성된 영역에서 진행되는 금속유도결정화(Metal Induced Crystallization, MIC)와, 니켈 산화물 박막이 형성되지 않은 영역에서 진행되는 금속유도측면결정화(Metal-Induced Lateral Crystallization, MILC)에 의하여 상기 비정질 실리콘 박막이 전체적으로 결정화가 진행되도록 하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는,소프트 리소그래피를 이용하여 상기 비정질 실리콘 박막 상면에 소정의 미세 패턴을 갖는 자기조립단분자막을 형성하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 2 항에 있어서,상기 (a) 단계는,미세 접촉 인쇄(micro contact printing)을 이용하여 수행하고,상기 미세 접촉 인쇄는,(a-1) 소정의 미세 패턴을 갖는 스탬프 상에 OTS(Octadecyltrichlorosilane) 혼합물을 코팅하는 단계;(a-2) 상기 코팅된 OTS 혼합물을 이용하여 상기 비정질 실리콘 박막의 상면에 상기 미세 패턴이 인쇄되도록 상기 스탬프를 상기 비정질 실리콘 박막에 접촉시키는 단계; 및(a-3) 상기 비정질 실리콘 박막으로부터 상기 스탬프을 분리하여 상기 비정질 실리콘 박막의 상면에 상기 미세 패턴을 갖는 OTS 자기조립단분자막을 형성하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는,원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 수행하고,상기 원자층 증착법은,(b-1) 상기 자기조립단분자막이 형성된 비정질 실리콘 박막에 니켈 원을 공급하여 니켈 증착층을 형성하는 단계;(b-2) 미반응 니켈 원과 반응 부산물을 제거하는 단계;(b-3) 상기 니켈 증착층에 산소 원을 공급하여 상기 니켈 증착층을 니켈 산화물 박막으로 형성하는 단계; 및(b-4) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 4 항에 있어서,상기 (b) 단계는 0℃ 내지 400℃의 온도에서 진행하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 4 항에 있어서,상기 (b-1) 단계 내지 상기 (b-4) 단계는 1 사이클 내지 50 사이클로 수행하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 6 항에 있어서,상기 니켈 산화물 박막은 0
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는,유기용매와 초음파를 이용한 제거방법, 자외선 조사에 의한 제거방법 및 고온 열처리에 의한 제거방법 중 하나의 제거방법으로 진행하고,상기 유기용매는 헥세인(Hexane) 및 에탄올(Ethanol) 중 하나를 포함하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계는 400 내지 800℃ 온도에서 열처리하여 진행하는 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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삭제
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 결정화 방법에 의해 형성된 다결정 실리콘 박막을 포함하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
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