| 1 |
1
구리 전구체, 인듐 전구체 및 황 전구체를 이용한 용매열 방법을 통해 CIS 코어 양자점을 합성하는 단계; 및추가적인 용매열 방법을 통해 상기 CIS 코어 양자점에 ZnS 쉘 층을 형성하는 단계;를 포함하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 구리 전구체로는 요오드화 Cu(I)(CuI)를, 인듐 전구체로는 아세트산 인듐(In(Ac)3)을, 황 전구체로는 도데칸티올(dodecanethiol, DDT)을 이용하며 상기 용매열 방법을 수행하기 위한 용매는 옥타데센(ODE)을 이용하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 CIS 코어 양자점을 합성하는 단계는 150-250 ℃에서 1-12 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 추가적인 용매열 방법은 상기 CIS 코어 양자점에 대해 아연 전구체를 적어도 포함해서 추가의 용매 혹은 황 전구체를 직접 첨가하여 가열하는 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 추가적인 용매열 방법은 ZnS 쉘 스톡 용액을 상기 CIS 코어 양자점과 혼합한 후 반응기에 넣어 가열하는 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 ZnS 쉘 스톡 용액은 아세트산 이수화물 아연과 C3H5KOS2(potassium ethylxanthogenate)을 혼합해 만든 침전물에 스테아르산 아연, 디메틸포름아미드 및 톨루엔을 혼합해 제조하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 ZnS 쉘 스톡 용액은 아연 전구체인 스테아르산 아연(Zn stearate)이나 아세트산 이수화물 아연(Zn(Ac)2)을 옥타데센에 혼합해 제조하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 ZnS 쉘 스톡 용액은 황 전구체인 도데칸티올(dodecanethiol)을 더 첨가해 제조하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
| 9 |
9
제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 추가적인 용매열 방법은 150-250 ℃에서 1-24 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 CIS/ZnS 코어/쉘 양자점 합성 방법
|
