1 |
1
상면의 중앙에 발광다이오드가 탑재되는 기판;상기 기판의 하면에 형성되는 방열판;상기 발광다이오드의 외곽부에 위치하여, 상기 발광다이오드에서 발생하는 열을 상기 기판의 외곽부로 전달하는 열전박막소자; 및상기 기판의 외곽부를 관통하여 형성되어, 상기 열전박막소자로부터 전달된 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제1 써멀비아를 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 기판에서 상기 발광다이오드에 대응하는 영역을 관통하여 형성되고, 상기 발광다이오드에서 발생한 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제2 써멀비아를 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판의 상면 또는 하면에 형성되는 절연층을 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열전박막소자는,상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 제1 써멀비아 사이에 수평하게 위치하는 하나 이상의 p형 열전박막;상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 제1 써멀비아 사이에 수평하게 위치하되, 상기 p형 열전박막과 이격되어 교대로 형성되는 하나 이상의 n형 열전박막; 및상기 p형 열전박막과 상기 n형 열전박막을 직렬로 연결하는 박막전극을 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,전기도금법, 스크린 프린팅법, 용융금속 주입법(melt infiltration method), 솔더용융법(solder melting)법 중 어느 하나에 의해 형성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,중앙에 중앙홀이 형성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,상부가 하부보다 확장된 테이퍼진 형상인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판, 열전박막소자 및 방열판의 상면 또는 측면에 형성되는 봉지재;상기 봉지재의 상면에 형성되는 렌즈; 및상기 봉지재의 측면에 형성되는 리플렉터를 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
9 |
9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 써멀비아는,구리, 주석, 은, 알루미늄, 니켈, 금, 백금, 철, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아이거나, 은, 구리, 비스무스, 인듐, 아연, 안티몬, 금, 납 중 하나 이상의 성분과 주석으로 형성되는 솔더를 이용하는 써멀비아인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
10 |
10
제2항에 있어서,상기 제2 써멀비아는,구리, 주석, 은, 알루미늄, 니켈, 금, 백금, 철, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아이거나, 은, 구리, 비스무스, 인듐, 아연, 안티몬, 금, 납 중 하나 이상의 성분과 주석으로 형성되는 솔더를 이용하는 써멀비아인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|
11 |
11
제3항에 있어서, 상기 절연층은,알루미나, 질화알루미늄, 유리, 글라스-세라믹, 실리콘카바이드, 질화실리콘, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지
|