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다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서,유리 또는 플라스틱으로 기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 10nm의 두께로 제1하부전극층을 형성하는 단계,상기 제1하부전극층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 50nm의 두께로 제2하부전극층을 형성하는 단계,상기 제2하부전극층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 10nm 내지 20nm의 두께로 제3하부전극층을 형성하는 단계에 의하여 전원의 양극과 연결하는 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극의 상측에 다층의 유기발광소자층을 형성하는 단계;상기 유기발광소자층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제1상부전극층을 형성하는 단계,상기 제1상부전극층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 제2상부전극층을 형성하는 단계,상기 제2상부전극층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 제3상부전극층을 형성하는 단계에 의하여 전원의 음극과 연결하는 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부전극을 형성함에 있어 제1하부전극층, 제2하부전극층 및 제3하부전극층을 열증착공정 또는 포토리소공정을 이용하여 패터닝한 후 추가적인 정공주입층이 필요하지 않도록 산소 플라즈마의 처리에 의하여 Ni전극을 NiO전극화하여 일함수를 높이는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유기발광소자층을 형성하는 단계에 있어서 열증착공정을 사용하여 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 증착하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상부전극을 형성함에 있어 제1상부전극층, 제2상부전극층 및 제3상부전극층을 열증착공정 또는 쉐도우마스크를 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 상부전극을 형성함에 있어 제1상부전극층, 제2상부전극층 및 제3상부전극층을 열증착공정 또는 쉐도우마스크를 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자의 제조방법
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다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자에 있어서,유리 또는 플라스틱으로 제조한 기판;상기 기판의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 10nm의 두께로 형성된 제1하부전극층,상기 제1하부전극층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 50nm의 두께로 형성된 제2하부전극층,상기 제2하부전극층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 10nm 내지 20nm의 두께로 형성된 제3하부전극층을 포함하여 전원의 양극과 연결하는 하부전극;상기 하부전극의 상측에 다층으로 형성된 유기발광소자층;상기 유기발광소자층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제1상부전극층,상기 제1상부전극층의 상측에 은(Ag), 금(Au) 및 구리(Cu) 중 어느 하나의 금속을 5nm 내지 15nm의 두께로 형성된 제2상부전극층,상기 제2상부전극층의 상측에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt) 및 Ti(티타늄) 중 어느 하나의 금속을 2nm 내지 5nm의 두께로 형성된 제3상부전극층을 포함하여 전원의 음극과 연결하는 상부전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자
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제 6 항에 있어서,상기 하부전극의 제1하부전극층, 제2하부전극층 및 제3하부전극층은 열증착공정 또는 포토리소공정을 이용하여 패터닝한 후 추가적인 정공주입층이 필요하지 않도록 산소 플라즈마의 처리에 의하여 Ni, Al, Pt, Ti전극을 Ni Oxide, Al Oxide, Pt Oxide, Ti Oxide화하여 일함수를 높이는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 유기발광소자층은 열증착공정을 사용하여 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 증착하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 상부전극의 제1상부전극층, 제2상부전극층 및 제3상부전극층은 열증착공정 또는 쉐도우마스크를 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자
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제 8 항에 있어서,상기 상부전극의 제1상부전극층, 제2상부전극층 및 제3상부전극층은 열증착공정 또는 쉐도우마스크를 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 다중 금속 박막을 이용한 탑-이미션 방법의 유기전계발광소자
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