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에피텍셜 구조가 형성된 GaN계 반도체 소자의 표면에 1차 패시베이션막을 형성하는 단계;상기 1차 패시베이션막을 관통하는 오믹 전극을 형성하는 단계;상기 1차 패시베이션막을 전부 제거하는 단계;상기 1차 패시베이션막을 제거하여 GaN계 반도체 소자가 노출된 표면에 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 전부 제거하는 단계; 및상기 GaOx희생층을 제거하여 GaN계 반도체 소자가 노출된 표면에 2차 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 제거하는 단계에서,GaOx 희생층을 형성하는 공정이 상기 1차 패시베이션막을 제거한 표면을 O2 가스 혹은 산소를 포함한 가스 플라즈마 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 제거하는 단계에서,GaOx 희생층을 제거하는 공정이 습식식각 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 3에 있어서,상기 습식식각이 HCl 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 1차 패시베이션막이 SiNx 재질인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 2차 패시베이션막이 SiOx 재질인 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막 형성방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중에 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 소자의 패시베이션막
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AlGaN/GaN HFET를 형성하기 위한 에피텍셜 구조를 형성하는 단계;상기 에피텍셜 구조에 대하여 메사 분리를 수행하는 단계;메사 분리된 각 에피텍셜 구조의 표면 전체에 1차 패시베이션막을 형성하는 단계;메사 분리된 각 구조 내의 서로 이격된 위치에 상기 1차 패시베이션막을 일부 제거하고 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 1차 패시베이션막을 전부 제거하는 단계;상기 1차 패시베이션막을 제거하여 에피텍셜 구조가 노출된 표면에 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 전부 제거하는 단계;상기 GaOx 희생층을 제거하여 에피텍셜 구조가 노출된 표면에 2차 패시베이션막을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 위치에 상기 2차 패시베이션막을 일부 제거한 뒤에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 제거하는 단계에서,GaOx 희생층을 형성하는 공정이 상기 1차 패시베이션막을 제거한 표면을 O2 가스 혹은 산소를 포함한 가스 플라즈마 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 GaOx 희생층을 형성한 뒤에 제거하는 단계에서,GaOx 희생층을 제거하는 공정이 습식식각 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 습식식각이 HCl 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 1차 패시베이션막이 SiNx 재질인 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 2차 패시베이션막이 SiOx 재질인 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET의 제조방법
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청구항 8 내지 청구항 13 중에 하나의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET
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청구항 14에 있어서,AlGaN/GaN HFET를 형성하기 위한 에피텍셜 구조가 실리콘, 사파이어, 탄화규소 및 GaN 벌크 기판 중에서 선택된 하나의 기판 위에 형성된 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET
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청구항 14에 있어서,AlGaN/GaN HFET를 형성하기 위한 에피텍셜 구조가, AlN 전이층, GaN계 버퍼층, GaN 채널층, AlGaN계 배리어층 및 도핑되지 않은 GaN 캡층이 순차적으로 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 AlGaN/GaN HFET
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