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전자빔조사를 이용한 나노 다이오드 제조방법 및 이에 의한 나노 다이오드

  • 기술번호 : KST2015209493
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔조사를 이용한 나노 다이오드 제조방법 및 이에 의한 나노 다이오드에 관한 것이다.나노 다이오드 특성 제어에 있어 전자빔 조사 조건에 따라 실리콘 기반의 나노 다이오드의 전류-전압 특성을 제어할 수 있으며, 특정 전자빔 조건에서는 전자빔 조사 이전의 특성에 비해 해당 다이오드 특성이 증가할 수 있다.
Int. CL H01L 29/861 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) H01L 21/263 (2006.01.01)
CPC H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01)
출원번호/일자 1020140000582 (2014.01.03)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0081031 (2015.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황진하 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0005223-12
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2014.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0006233-30
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0043887-22
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0562039-16
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0171152-11
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.23 수리 (Accepted) 9-1-2018-0071998-50
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0216829-93
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0543710-04
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0652078-79
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0767660-06
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0767658-14
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0857017-48
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-1347269-40
15 법정기간연장승인서
2020.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0000326-45
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 실리콘의 상면에 원자층 증착 방법에 의하여 ZnO 박막을 증착하는 단계 및 상기 ZnO 박막에 전자빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 나노다이오드 제조 방법
2 2
n형 실리콘의 상면에 스퍼터링 방법에 의하여 CuO 박막을 증착하는 단계 및 상기 CuO 박막에 전자빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 나노다이오드 제조 방법
3 3
원자층 증착 방법에 의하여 ZnO 박막을 형성하는 단계와 상기 ZnO 박막의 상면에 스퍼터링 방법에 의하여 CuO 박막을 증착하는 단계 및 상기 CuO 박막의 상면에 전자빔을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한 나노다이오드 제조 방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항중 어느 하나의 항에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 홍익대학교 원자력 연구기반 확충사업 전자빔조사를 이용한 나노다이오드 특성 제어 연구
2 교육부 홍익대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 원자층 증착법을 이용한 이종 산화물 박막 기반의 나노 정류 소자 제작 및 특성 연구