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기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 쇼트키 전극 및 제2 쇼트키 전극;상기 제1 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 이격되는 제1 게이트 전극; 및상기 제2 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극 사이에 위치하며, 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 이격되는 제2 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극 및 상기 제2 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극 각각 접합 되도록 배치되되,상기 제1 쇼트키 전극이 상기 배리어층에 접하여 형성되는 제1 쇼트키 다이오드의 턴온 전압과 상기 제2 쇼트키 전극이 상기 배리어층에 접하여 형성되는 제2 쇼트키 다이오드의 턴온 전압은 각각 2V 이하이고,상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제1 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 쇼트키 다이오드의 캐소드를 공유하고,상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제2 트랜지스터의 드레인은 상기 제2 쇼트키 다이오드의 캐소드를 공유하고,상기 제1 소스 전극은 상기 제2 쇼트키 다이오드의 애노드와 공유되고, 상기 제2 소스 전극은 상기 제1 쇼트키 다이오드의 애노드와 공유되는 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 각각 상기 배리어층에 형성된 트렌치에 삽입되어 형성된 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 배리어층에 접하는 상기 버퍼층의 계면에 2차원 전자가스(2-DEG) 또는 전자채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 배리어층이 GaN계 물질, AlGaN계 물질, InGaN계 물질 및 AlInGaN계 물질 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제1 트랜지스터의 턴온 전압과 상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제2 트랜지스터의 턴온 전압은 OV 이상인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 소스 전극과 상기 배리어층의 접합, 상기 제2 소스 전극과 상기 배리어층의 접합은 오믹 접합, 상기 제1 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극의 접합 및 상기 제2 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극의 접합은 각각 도선에 의한 접합이고,제1 쇼트키 전극과 상기 배리어층의 접합 및 상기 제2 쇼트키 전극과 상기 배리어층의 접합은 각각 쇼트키 접합인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 배리어층;상기 배리어층 위에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 소스 전극 및 제2 소스 전극;상기 게이트 절연층을 관통하여 상기 배리어층에 접하여 위치하는 제1 쇼트키 전극 및 제2 쇼트키 전극;상기 제1 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극 사이에 위치하며, 상기 배리어층을 관통하여 상기 버퍼층 까지 파인 제1 트랜치;상기 제2 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극 사이에 위치하며, 상기 배리어층을 관통하여 상기 버퍼층 까지 파인 제2 트랜치;상기 제1 트랜치에 위치하며 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 이격되는 제1 게이트 전극; 및상기 제2 트랜치에 위치하며 상기 게이트 절연층에 의해서 상기 배리어층과 이격되는 제2 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극 및 상기 제2 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극 각각 접합 되도록 배치되되,상기 제1 쇼트키 전극이 상기 배리어층에 접하여 형성되는 제1 쇼트키 다이오드의 턴온 전압과 상기 제2 쇼트키 전극이 상기 배리어층에 접하여 형성되는 제2 쇼트키 다이오드의 턴온 전압은 각각 2V 이하이고,상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제1 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 쇼트키 다이오드의 캐소드를 공유하고,상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제2 트랜지스터의 드레인은 상기 제2 쇼트키 다이오드의 캐소드를 공유하고,상기 제1 소스 전극은 상기 제2 쇼트키 다이오드의 애노드와 공유되고, 상기 제2 소스 전극은 상기 제1 쇼트키 다이오드의 애노드와 공유되는 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 11에 있어서,상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제1 트랜지스터의 턴온 전압과 상기 제2 게이트 전극, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 쇼트키 전극에 의해 구성되는 제2 트랜지스터의 턴온 전압은 OV 이상인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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청구항 11에 있어서,상기 제1 소스 전극과 상기 배리어층의 접합 및 상기 제2 소스 전극과 상기 배리어층의 접합은 오믹 접합이고, 상기 제1 소스 전극과 상기 제2 쇼트키 전극의 접합 및 상기 제2 소스 전극과 상기 제1 쇼트키 전극의 접합은 각각 도선연결에 의한 접합이고,제1 쇼트키 전극과 상기 배리어층의 접합 및 상기 제 쇼트키 전극과 상기 배리어층의 접합은 각각 쇼트키 접합인 것을 특징으로 하는 양방향 스위칭 소자
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