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고속부팅 방법 및 이를 위한 컴퓨팅 장치

  • 기술번호 : KST2015209534
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속부팅 방법 및 이를 위한 컴퓨팅 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 고속부팅 방법은 제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM을 포함하는 컴퓨팅 장치에 있어서, 부팅 명령을 수신하는 단계, 고속부팅 수행이 가능하면, 제2비휘발성 메모리에 저장된 커널 데이터를 제1비휘발성 메모리의 커널영역에 복원하는 단계, DRAM에 저장된 업데이트 데이터를 삭제하는 단계, 제2비휘발성 메모리에 저장된 CPU 데이터와 디바이스 데이터를 각각 CPU와 디바이스로 복원하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 9/24 (2006.01)
CPC G06F 9/4401(2013.01) G06F 9/4401(2013.01) G06F 9/4401(2013.01)
출원번호/일자 1020140033983 (2014.03.24)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1566612-0000 (2015.10.30)
공개번호/일자 10-2015-0110100 (2015.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20151106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.24)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문영제 대한민국 서울특별시 마포구
2 송현호 대한민국 서울특별시 마포구
3 박재형 대한민국 서울특별시 동작구
4 노삼혁 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 위은규 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 **길 **, A동 ***호 (문정동, 에이치비즈니스파크)(카이오국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 노삼혁 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0279172-85
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0050055-86
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0024168-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0289579-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0451101-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0451070-52
8 보정요구서
Request for Amendment
2015.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0084419-77
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0470287-42
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.21 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0708692-91
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0708707-98
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0487519-84
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0730616-03
14 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0736006-02
15 보정요구서
Request for Amendment
2015.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0121112-79
16 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0124826-74
17 등록결정서
Decision to grant
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0750757-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM을 포함하는 컴퓨팅 장치에 있어서,부팅 명령을 수신하는 단계,고속부팅 수행이 가능하면, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 커널 데이터를 상기 제1비휘발성 메모리의 커널영역에 복원하는 단계,상기 고속부팅 수행이 가능하지 않으면, 콜드부팅을 수행하는 단계,상기 DRAM에 저장된 업데이트 데이터를 삭제하는 단계,상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 CPU 데이터와 디바이스 데이터를 각각 CPU와 디바이스로 복원하는 단계를 포함하는 고속부팅 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제1비휘발성 메모리에 쓰기 명령을 수신하는 단계,폴트가 발생되는 것을 검출하는 단계,상기 폴트 발생영역이 상기 커널영역이면, 상기 커널영역의 커널 원본데이터를 상기 제2비휘발성 메모리에 저장하는 단계,상기 제1비휘발성 메모리의 커널 원본데이터 영역에 대한 읽기 전용화를 해제하는 단계,상기 커널 원본데이터 영역에 쓰기를 수행하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 폴트 발생영역이 상기 커널영역이 아니면, 상기 DRAM에 쓰기를 수행하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1비휘발성 메모리의 상기 읽기 전용화 명령을 수신하는 단계,상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터를 상기 제2비휘발성 메모리에 저장하는 단계,상기 제1비휘발성 메모리를 읽기 전용화로 변경하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
6 6
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM을 포함하는 컴퓨팅 장치에 있어서,부팅 명령을 수신하는 단계,부팅 방식이 고속부팅이면, 콜드부팅이 기 수행 되었는지 확인하는 단계,상기 콜드부팅이 기 수행 되었으면, CPU 데이터와 디바이스 데이터가 상기 제2비휘발성 메모리에 저장되고, 상기 제1비휘발성 메모리의 읽기 전용화가 수행되었는지 확인하는 단계,상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터가 상기 제2비휘발성 메모리에 저장되고, 상기 제1비휘발성 메모리의 읽기 전용화가 수행되었으면, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 커널 데이터를 상기 제1비휘발성 메모리의 커널영역에 복원하는 단계,상기 DRAM에 저장된 업데이트 데이터를 삭제하는 단계,상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터를 각각 CPU와 디바이스로 복원하는 단계를 포함하는 고속부팅 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 부팅 방식이 상기 고속부팅이 아니면, 상기 부팅 방식이 상기 콜드부팅인지 확인하여 상기 부팅 방식이 상기 콜드부팅이면, 상기 콜드부팅을 수행하는 단계,상기 콜드부팅이 기 수행 되지 않았으면, 상기 콜드부팅을 수행하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터가 상기 제2비휘발성 메모리에 저장되지 않고, 상기 제1비휘발성 메모리의 상기 읽기 전용화가 수행되지 않았으면, 상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터를 상기 제2비휘발성 메모리에 저장하고, 상기 제1비휘발성 메모리의 상기 읽기 전용화를 수행하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 콜드부팅은,메인 메모리가 상기 제1비휘발성 메모리이면, 저장장치로부터 커널 이미지 파일과 램디스크 파일을 상기 제1비휘발성 메모리로 가져오는 단계,상기 커널 이미지 파일과 램디스크 파일의 압축을 해제하고, 커널의 초기화 과정을 완료하는 단계를 포함하는 고속부팅 방법
10 10
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM을 포함하는 컴퓨팅 장치에 있어서,상기 제1비휘발성 메모리에 쓰기 명령을 수신하는 단계,폴트가 발생되는 것을 검출하는 단계,상기 폴트 발생영역이 커널영역이면, 상기 커널영역의 커널 원본데이터를 상기 제2비휘발성 메모리에 저장하는 단계,상기 제1비휘발성 메모리의 커널 원본데이터 영역에 대한 읽기 전용화를 해제하는 단계,상기 커널 원본데이터 영역에 쓰기를 수행하는 단계,상기 폴트 발생영역이 상기 커널영역이 아니면, 상기 DRAM에 쓰기를 수행하는 단계를 포함하는 고속부팅 방법
11 11
제10항에 있어서,페이지 테이블을 수정하는 단계를 더 포함하는 고속부팅 방법
12 12
제1항, 제6항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1비휘발성 메모리가 메인 메모리인 고속부팅 방법
13 13
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM,부팅 명령을 수신하여, 고속부팅 수행이 가능하면, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 커널 데이터를 상기 제1비휘발성 메모리의 커널영역에 복원하고, 상기 고속부팅 수행이 가능하지 않으면, 콜드부팅을 수행하고, 상기 DRAM에 저장된 업데이트 데이터를 삭제하고, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 CPU 데이터와 디바이스 데이터를 각각 CPU와 디바이스로 복원하는 것을 제어하는 제어모듈을 포함하는 고속부팅을 위한 컴퓨팅 장치
14 14
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM,부팅 명령을 수신하여, 부팅 방식이 고속부팅이면, 콜드부팅이 기 수행 되었는지 확인하고, 상기 콜드부팅이 기 수행 되었으면, CPU 데이터와 디바이스 데이터가 상기 제2비휘발성 메모리에 저장되고, 상기 제1비휘발성 메모리의 읽기 전용화가 수행되었는지 확인하고, 상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터가 상기 제2비휘발성 메모리에 저장되고, 상기 제1비휘발성 메모리의 읽기 전용화가 수행되었으면, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 커널 데이터를 상기 제1비휘발성 메모리의 커널영역에 복원하고, 상기 DRAM에 저장된 업데이트 데이터를 삭제하고, 상기 제2비휘발성 메모리에 저장된 상기 CPU 데이터와 상기 디바이스 데이터를 각각 CPU와 디바이스로 복원하는 것을 제어하는 제어모듈을 포함하는 고속부팅을 위한 컴퓨팅 장치
15 15
제1비휘발성 메모리, 제2비휘발성 메모리, DRAM,상기 제1비휘발성 메모리에 쓰기 명령을 수신하고, 폴트가 발생되는 것을 검출하고, 상기 폴트 발생영역이 커널영역이면, 상기 커널영역의 커널 원본데이터를 상기 제2비휘발성 메모리에 저장하고, 상기 제1비휘발성 메모리의 커널 원본데이터 영역에 대한 읽기 전용화를 해제하고, 상기 커널 원본데이터 영역에 쓰기를 수행하고, 상기 폴트 발생영역이 상기 커널영역이 아니면, 상기 DRAM에 쓰기를 수행하는 것을 제어하는 제어모듈을 포함하는 고속부팅을 위한 컴퓨팅 장치
16 16
제1항, 제6항, 제10항 중 어느 한 항의 고속부팅 방법을 수행하는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능 기록매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(SW) 차세대 메모리 기반의 스마트 디바이스용 임베디드 시스템 소프트웨어 원천기술개발