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발광다이오드용 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015209543
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드용 양자점-고분자 복합체 플레이트 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 양자점-고분자 복합체 플레이트는, 발광다이오드의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 양자점이 포함된 고분자 박막; 및 상기 고분자 박막의 적어도 한 면에 형성된 무기산화물 보호막을 포함한다. 본 발명에 따르면, 양자점의 응집, 산화와 열화를 방지할 수 있어 발광 효율이 개선된다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01)
CPC B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01) B32B 27/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120038392 (2012.04.13)
출원인 홍익대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1413660-0000 (2014.06.24)
공개번호/일자 10-2013-0115771 (2013.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양희선 대한민국 서울 서초구
2 장은표 대한민국 경기 안산시 단원구
3 송우석 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 홍익대학교 산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0293779-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0094834-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0628090-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0891173-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0891139-32
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0115371-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0215334-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0215328-22
10 등록결정서
Decision to grant
2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0326013-73
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.05.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0478468-51
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0087584-72
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0527085-17
14 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0541088-72
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2014.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0097020-23
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광다이오드의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 양자점이 포함된 자유 기립(free-standing) 고분자 박막; 및상기 고분자 박막의 적어도 한 면에 형성된 무기산화물 보호막을 포함하는 양자점-고분자 복합체 플레이트로서,반도체 적층체로 이루어진 발광다이오드에 접착되어 LED 패키지를 구현하기 위한 봉지재로서의 양자점-고분자 복합체 플레이트
2 2
제1항에 있어서, 상기 무기산화물 보호막은 SiO2, TiO2, Al2O3 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질의 박막 또는 유리인 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 박막과 무기산화물 보호막 사이에 고분자 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트
4 4
제3항에 있어서, 상기 고분자 접착층은 PVP(polyvinylpyrrolidone) 또는 PVA(polyvinyl alcohol)인 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트
5 5
고분자를 유기용매에 녹여 고분자 용액을 준비하는 단계;발광다이오드의 여기광을 파장 변환하여 파장 변환광을 발생시키는 양자점을 상기 고분자 용액에 혼합하는 단계;상기 양자점이 혼합된 고분자 용액을 건조시켜 양자점이 포함된 자유 기립(free-standing) 고분자 박막을 형성하는 단계; 및상기 고분자 박막의 적어도 한 면에 무기산화물 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법으로서,반도체 적층체로 이루어진 발광다이오드에 접착되어 LED 패키지를 구현하기 위한 봉지재로서의 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 무기산화물 보호막은 SiO2, TiO2, Al2O3 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 물질의 박막 또는 유리인 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 고분자 박막과 무기산화물 보호막 사이에 고분자 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 고분자 접착층을 형성하는 단계는 PVP 또는 PVA가 용해된 에탄올(ethanol) 용액에 상기 고분자 박막을 딥 코팅(dip coating)하고 건조하는 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 무기산화물 보호막을 형성하는 단계는 실리카 졸(silica sol) 용액에 상기 고분자 박막을 딥 코팅하고 건조하는 것을 특징으로 하는 양자점-고분자 복합체 플레이트 제조 방법
10 10
반도체 적층체로 이루어진 발광다이오드; 및제1항에 기재된 양자점-고분자 복합체 플레이트를 포함하는 발광소자
11 11
반도체 적층체로 이루어진 발광다이오드를 마련하는 단계; 및상기 발광다이오드 상에 제1항에 기재된 양자점-고분자 복합체 플레이트를 접착하는 단계를 포함하는 발광소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 홍익대학교산학협력단 중견자연구사업(개인핵심연구) 무독성, 고효율 양자점 기반 고품위 백색 LED 광원 소자 개발
2 홍익대학교 산학협력단 한국화학연구원 정보통신산업원천기술개발사업 고연색 LED 조명용 적색 형광 질화물 소재 및 자기조립적층기술