1 |
1
제 1 고분자 층에 포토 레지스트 패턴을 형성하고 돌기 위치 외 영역의 제 1 고분자 층을 제거하여 적어도 하나 이상의 돌기를 형성하는 단계,상기 돌기가 제 2 고분자 층에 삽입되도록 상기 제 1 고분자 층에 제 2 고분자 층을 적층하는 단계를 포함하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제 2 고분자 층은 상기 제1 고분자 층 보다 상대적으로 작은 크기를 가지는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
3 |
3
제 2항에 있어서,상기 제 2 고분자 층은 상기 제 1 고분자 층 보다 상대적으로 작은 면적을 가지며, 상기 제 2 고분자 층 둘레에 상기 제 1 고분자 층만이 노출되는 완충부가 형성되도록 하는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
4 |
4
제 1항에 있어서,상기 제 1 고분자 층은 강성도가 낮은 고분자를 이용하여 이루어지고, 상기 제 2 고분자 층은 강성도가 높은 고분자를 이용하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 제 1 고분자 층 및 상기 제 2 고분자 층은,PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, FR4, 에폭시, 페놀, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 고분자로 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 고분자 층 및 상기 제 2 고분자 층은,PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, FR4, 에폭시, 페놀, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 고분자로 이루어지고, 상기 선택된 하나의 고분자 기지에 혼합되는 경화제의 함량을 조절하여 강성도가 다른 고분자 층을 형성하는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
7 |
7
제 1항에 있어서,제 1 고분자 층은 PDMS를 이용하여 형성하고, 제 2 고분자 층은 폴리우레탄, 폴리이미드, FR4, 에폭시, 페놀, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 이용하여 형성하는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
8 |
8
제 1항에 있어서, 제 1 고분자 층에 형성된 돌기는, 이온 밀링 또는 습식 에칭을 사용하여 형성하는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
9 |
9
제 1항에 있어서, 제 2 고분자 층은, 돌기가 형성된 제 1 고분자 층에 제 2 고분자 층을 형성하는 용액을 도포하고 이를 경화시켜 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
10 |
10
제 1항에 있어서, 제 2 고분자 층은, 돌기가 형성된 제 1 고분자 층에 반 경화된 제 2 고분자 층을 라미네이션 하고 이를 경화시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 돌기 삽입형 신축성 기판의 제조방법
|
11 |
11
제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 돌기 삽입형 신축성 기판
|
12 |
12
돌기 위치 외 영역이 제거되어 적어도 하나 이상의 돌기가 형성된 제 1 고분자 층 및상기 돌기가 삽입되도록 상기 제 1 고분자 층 위에 형성된 제 2 고분자 층을 포함하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판
|
13 |
13
제 12항에 있어서,상기 제 2 고분자 층은 상기 제1 고분자 층 보다 상대적으로 작은 크기를 가지는 돌기 삽입형 신축성 기판
|
14 |
14
제 13항에 있어서,상기 제 2 고분자 층은 상기 제 1 고분자 층 보다 상대적으로 작은 면적을 가지며, 상기 제 2 고분자 층 둘레에 상기 제 1 고분자 층만이 노출되는 완충부가 형성되는 돌기 삽입형 신축성 기판
|
15 |
15
제 12항에 있어서,상기 제 1 고분자 층은 강성도가 낮은 고분자를 이용하여 이루어지고, 상기 제 2 고분자 층은 강성도가 높은 고분자를 이용하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판
|
16 |
16
제 1 고분자 층에 포토 레지스트 패턴을 형성하고 돌기 위치 외 영역의 제 1 고분자 층을 제거하여 적어도 하나 이상의 돌기를 형성하는 단계 및 상기 돌기가 제 2 고분자 층에 삽입되도록 상기 제 1 고분자 층에 제 2 고분자 층을 적층하는 단계를 포함하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판을 형성하는 단계,상기 돌기 삽입형 신축성 기판에 회로배선을 형성하는 단계,상기 돌기 삽입형 신축성 기판에 전자부품을 실장하는 단계를 포함하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지 제조방법
|
17 |
17
제 16항에 있어서,상기 회로배선은, 금(Au), 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어지고,단일층 또는 다층으로 구성되는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
18 |
18
제 16항에 있어서, 상기 회로배선은,고분자에 탄소나노튜브, 금속분말, 나노 금속분말, 그래핀, 전도성 세라믹 분말로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 함유시켜 전도성을 부여하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
19 |
19
제 18항에 있어서, 상기 금속분말 또는 나노 금속분말은,금(Au), 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
20 |
20
제 16항에 있어서,상기 회로배선은,직선 형상 또는 물결무늬 형상으로 이루어지는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
21 |
21
제 16항에 있어서, 상기 돌기 삽입형 신축성 기판에 회로배선을 형성하고 전자부품을 실장한 후에, 그 위에 상기 제 2 고분자 층의 크기와 같거나 작은 크기의 엔캡슐레이션을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
22 |
22
제 21항에 있어서, 상기 엔캡슐레이션은,에폭시 몰딩 컴파운드(EMC), PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드, FR4, 에폭시, 페놀, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 신축성 전자소자 패키지의 제조방법
|
23 |
23
제 16항 내지 제 22항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 신축성 전자소자 패키지
|
24 |
24
돌기 위치 외 영역이 제거되어 적어도 하나 이상의 돌기가 형성된 제 1 고분자 층과, 상기 돌기가 삽입되도록 적층된 제 2 고분자 층을 포함하여 이루어지는 돌기 삽입형 신축성 기판과,상기 돌기 삽입형 신축성 기판에 형성된 회로배선 및상기 돌기 삽입형 신축성 기판에 실장된 전자부품을 포함하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지
|
25 |
25
제 24항에 있어서,상기 제 2 고분자 층은 상기 제 1 고분자 층 보다 상대적으로 작은 면적을 가지며, 상기 제 2 고분자 층 둘레에 상기 제 1 고분자 층만이 노출되는 완충부가 형성되어 이루어지는 신축성 전자소자 패키지
|
26 |
26
제 24항에 있어서,상기 돌기 삽입형 신축성 기판은,상기 제 1 고분자 층이 강성도가 낮은 고분자를 이용하여 이루어지고, 상기 제 2 고분자 층이 강성도가 높은 고분자를 이용하여 이루어지는 신축성 전자소자 패키지
|
27 |
27
제 24항에 있어서,상기 신축성 전자소자 패키지는, 실장된 전자부품을 캡슐화하는 엔캡슐레이션을 더 포함하여 이루어지며,상기 엔캡슐레이션은 상기 제 2 고분자 층의 크기와 같거나 작은 크기로 이루어지는 신축성 전자소자 패키지
|