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기판;상기 기판 상에 형성된 GaN계 버퍼층;상기 GaN계 버퍼층 상에 형성된 AlGaN계 장벽층;상기 장벽층 상에 서로 이격되어 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하고, 상기 장벽층 상에 형성된 게이트 절연막;상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격되어 위치하고, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극;상기 소오스 전극과 연결되고 상기 장벽층의 일부 영역에 이온이 주입된 제1 이온주입영역; 및상기 드레인 전극과 연결되고 상기 장벽층의 일부 영역에 이온이 주입된 제2 이온주입영역을 포함하고,상기 장벽층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 AlGaN계는 AlxGa1-xN(0
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제1항에 있어서,상기 소오스 전극 및 드레인 전극은 Ti/Al 또는 Ni/Au를 포함하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 절연막은 SiN, SiO2 또는 Al2O3을 포함하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 Au, Ag 또는 Ni을 포함하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극에 양의 바이어스 인가시, 상기 버퍼층과 장벽층 사이에 2차원 전자가스 채널층이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,제2 이온주입영역은 상기 드레인 전극에 연결된 n+ 드레인 영역 및 상기 n+ 드레인 영역에 연결되고, 상기 n+ 드레인 영역과 상기 게이트 전극 사이에 위치한 n 드리프트 영역을 포함하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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8
제7항에 있어서,상기 n 드리프트 영역의 길이를 조절하여 항복전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 GaN계 버퍼층을 형성하는 단계;상기 GaN계 버퍼층 상에 AlGaN계 장벽층을 형성하는 단계;상기 AlGaN계 장벽층의 일부 영역에 이온을 주입하여 서로 이격된 제1 이온주입영역 및 제2 이온주입영역을 형성하는 단계;상기 AlGaN계 장벽층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 이온주입영역 및 제2 이온주입영역 상의 게이트 절연막 일부를 식각하는 단계;상기 노출된 제1 이온주입영역 및 제2 이온주입영역 상에 각각 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 이격하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 장벽층의 두께는 0
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제9항에 있어서,상기 AlGaN계는 AlxGa1-xN(0
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기판;상기 기판 상에 형성된 GaN계 버퍼층;상기 GaN계 버퍼층 상에 형성되고, 표면에 오목부를 구비하는 AlGaN계 장벽층;상기 장벽층 상에 서로 이격되어 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하고, 상기 장벽층의 표면을 따라 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 상기 오목부를 매립하며 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 장벽층의 두께는 7nm 내지 50nm이고, 상기 오목부 하부의 장벽층의 두께는 0
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제11항에 있어서,상기 AlGaN계는 AlxGa1-xN(0
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 GaN계 버퍼층을 형성하는 단계;상기 GaN계 버퍼층 상에 AlGaN계 장벽층을 형성하는 단계;상기 AlGaN계 장벽층 상의 일부 영역에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층이 형성된 AlGaN계 장벽층 상에 AlGaN계 장벽층을 재성장하여 표면에 오목부를 구비하는 AlGaN계 장벽층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 AlGaN계 장벽층의 표면을 따라 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 일부를 제거하고, 노출된 장벽층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 상기 오목부를 매립하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고상기 장벽층의 두께는 5nm 내지 50nm이고, 상기 오목부 하부의 장벽층의 두께는 0
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제13항에 있어서,상기 AlGaN계는 AlxGa1-xN(0
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제13항에 있어서,상기 AlGaN계 장벽층을 재성장시키는 공정 중 Al의 몰분율을 변경하여 재성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 이종접합 전계효과 트랜지스터 제조방법
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