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제1 에너지 밴드갭의 제1 질화물계 반도체로 형성되는 채널층;상기 제1 에너지 밴드갭과 다른 제2 에너지 밴드갭의 제2 질화물계 반도체로 형성되는 장벽층;상기 장벽층에 형성되는 리세스;상기 장벽층의 일측에서 상기 장벽층 상에 배치되는 드레인전극; 및상기 리세스에 배치되며 상기 드레인전극에 접하는 리세스-드레인 쇼트키전극;을 포함하는 것이며,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은 상기 드레인전극의 연장 방향을 따라 연장하는 트렌치 형태의 리세스 영역에 삽입되는 일단부를 구비하고,상기 리세스-드레인 쇼트키전극의 상기 일단부는 상기 드레인전극의 연장 방향에서 복수개로 분할되어 형성되는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 장벽층의 타측에서 상기 장벽층 상에 배치되는 소스전극; 및상기 소스전극과 상기 리세스-드레인 쇼트키전극 사이에 배치되는 게이트전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 게이트전극과 동일한 재료로 이루어지고, 상기 드레인전극의 일측면과 상부면을 덮는 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 채널층과 상기 장벽층의 계면에 형성되는 이차원전자가스가 상기 소스전극에서 상기 드레인전극으로 흐르는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 드레인전극에서 상기 소스전극으로 향하는 단방향 전류 흐름을 허용하고, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이에 쇼트키 전위장벽을 형성하여 상기 소스전극에서 상기 드레인전극으로 흐르는 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, Ni, Pd, Au, Pt, W, Al 또는 이들의 조합 금속 중 어느 하나를 포함하는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 1 항 내지 제 5항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장벽층은 상기 채널층과의 계면에 이차원전자가스의 유도채널을 형성하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제 9 항에 있어서,상기 채널층과 상기 장벽층은 적어도 하나의 장벽층과 적어도 하나의 채널층을 형성하는 복수의 질화갈륨계 반도체층을 접합한 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터
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제1 에너지 밴드갭을 가진 제1 질화물계 반도체의 채널층, 및 상기 제1 에너지 밴드갭과 다른 제2 에너지 밴드갭을 가진 제2 질화물계 반도체의 장벽층을 형성하는 제1 단계;상기 장벽층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 제2 단계;상기 드레인전극에 인접하게 상기 장벽층에 리세스 영역을 형성하는 제3 단계; 및상기 리세스 영역에 리세스-드레인 쇼트키전극을 형성하는 제4 단계;를 포함하며,상기 제4 단계는,상기 드레인전극의 연장 방향을 따라 연장하는 트렌치 형태의 상기 리세스 영역에 일단부가 위치하는 상기 리세스-드레인 쇼트키전극을 형성하되,상기 리세스-드레인 쇼트키전극의 상기 일단부는 상기 드레인전극의 연장 방향에서 복수개로 분할되어 형성되는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 제3 단계는, 상기 리세스 영역과 상기 채널층 간의 간격을 2㎚ 내지 5㎚ 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 장벽층 상에 게이트 전극을 형성하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 제4 단계 및 상기 제5 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 제4 단계는, Ni, Pd, Au, Pt, W, Al 또는 이들 조합 금속 중 어느 하나를 포함하는 재료를 이용하여 상기 리세스-드레인 쇼트키전극 및 상기 게이트전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 11 항 내지 제 12항 및 제 14항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 단계는, 상기 채널층과의 계면에 이차원전자가스의 유도채널을 형성하는 재료로 상기 장벽층을 형성하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 제1 단계는, 적어도 하나의 채널층과 적어도 하나의 장벽층을 형성하는 복수의 질화갈륨계 반도체층을 접합한 구조로 상기 채널층과 상기 장벽층을 형성하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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