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성장 주도 결정화(growth driven crystallization)를 나타내는 제1 상변화 재료로 이루어진 매트릭스(matrix); 및핵형성 주도 결정화(nucleation driven crystallization)를 나타내는 제2 상변화 재료로 이루어지며, 상기 매트릭스 내에 분산되어 있는 입자를 포함하며,상기 제2 상변화 재료는, Ge-Sb-Te의 3원 상태도에서 Sb3Te7, Ge2Te3, Ge3Te2 및 SbTe를 꼭지점으로 갖는 사각형 형태 영역 내부의 합금 조성을 가지며,상기 제1 상변화 재료의 녹는점은 상기 제2 상변화 재료의 녹는점보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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핵형성 주도 결정화(nucleation driven crystallization)를 나타내는 제2 상변화 재료로 이루어진 매트릭스(matrix); 및성장 주도 결정화(growth driven crystallization)를 나타내는 제1 상변화 재료로 이루어지며, 상기 매트릭스 내에 분산되어 있는 입자를 포함하며, 상기 제1 상변화 재료의 녹는점은 상기 제2 상변화 재료의 녹는점보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 상변화 재료는, Sb7Te3, AgInSbTe계 합금 또는 GeInSbTe계 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제3항에 있어서,상기 AgInSbTe계 합금은 AgaInbSbcTed(여기서, 0003c#a≤15, 0003c#b≤6, 55≤c≤80, 16≤d≤35, a+b+c+d=100임)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제3항에 있어서,상기 GeInSbTe계 합금은 GeaInbSbcTed(여기서, 0003c#a≤15, 0003c#b≤6, 55≤c≤80, 16≤d≤35, a+b+c+d=100임)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제1항에 있어서,상기 매트릭스 내에 분산되어 있는 입자는, 비정질 상태인 매트릭스가 결정화할 때 결정 성장을 위한 시드(seed)로서 작용하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제2항에 있어서,상기 제2 상변화 재료는, Ge-Sb-Te의 3원 상태도에서 Sb3Te7, Ge2Te3, Ge3Te2 및 SbTe를 꼭지점으로 갖는 사각형 형태 영역 내부의 합금 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 상변화 재료는, Ge1Sb2Te4 또는 Ge2Sb2Te5의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리용 복합재료
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상변화층(66)을 포함하는 스토리지 노드(SN); 및상기 스토리지 노드(SN)와 연결된 스위칭 소자(T)를 포함하고,상변화층(66)은, 제1항 또는 제2항에 기재된 상변화 메모리용 복합재료로 형성된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항 또는 제2항에 기재된 상변화 메모리용 복합재료로 형성한 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,스토리지 노드(SN)를 형성하는 공정 단계를 포함하고,상기 공정 단계는, 상기 상변화 복합재료(100)를 이용하여 상기 상변화층(66)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법
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