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기판(100);상기 기판 위에 형성된 전이층(200);상기 전이층 위에 형성된 GaN 버퍼층(300);상기 GaN 버퍼층 위에 형성된 AlGaN 배리어층(400);상기 AlGaN 배리어층 위에 형성된 도핑되지 않은 GaN층(500);서로 이격되어 배치된 애노드(600)와 캐소드(700); 및상기 캐소드(700)와 상기 애노드(600)의 상부를 제외한 부분을 덮는 표면 패시베이션층(800)을 포함하여 구성되는 쇼트키 배리어 다이오드에 있어서,상기 캐소드(700)는, 상기 AlGaN 배리어층(400)에 오믹 접촉된 오믹전극(710)이고,상기 애노드(600)는 상기 AlGaN 배리어층(400)에 오믹 접촉된 오믹전극부(620)와 상기 AlGaN 배리어층(400)을 수직으로 깎아낸 리세스에 삽입된 쇼트키전극부(610)로 이루어지되, 상기 쇼트키전극부(610)는 상기 리세스의 수직면이 연장된 면에서 상기 오믹전극부(620)와 접하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 쇼트키전극부(610)는 상기 오믹전극부(620)가 상기 캐소드(700)를 바라보는 측에 위치하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 쇼트키전극부(610)가 상기 리세스의 상부에서 상기 캐소드(700) 방향으로 돌출형성된 오버행(615)을 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 4에 있어서,상기 오버행(615)의 돌출된 폭이, 0
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청구항 1에 있어서,상기 쇼트키전극부(610)가 삽입형성되는 리세스가 상기 AlGaN 배리어층(400)을 0
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청구항 1에 있어서,상기 쇼트키전극부(610)가 삽입형성되는 리세스의 폭이 1㎛ ~ 5㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 AlGaN 배리어층(400)의 Al의 조성이 15% ~ 30% 범위인 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 AlGaN 배리어층(400)의 두께가 10nm ~ 30nm 범위인 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 도핑되지 않은 GaN층(500)의 두께가 5Å ~ 100Å 범위인 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드
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