맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

펜타센 박막 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015209654
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법은 결정성 펜타센 박막을 사용하여, 제조공정시간이 지연되고, 정공의 이동도가 낮은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 실리콘 질화막 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하는 단계와; 상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계로 이루어져, 펜타센 박막의 제조공정 시간을 단축함과 아울러 이동도 등 그 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020030006771 (2003.02.04)
출원인 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0515214-0000 (2005.09.08)
공개번호/일자 10-2004-0070598 (2004.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20050916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.02.04)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임성일 대한민국 서울특별시마포구
2 김재훈 대한민국 서울특별시서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정세성 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로 ****, ***호 특허법인이노 제*분사무소 (서초동, 보성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2003-0038590-35
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2003.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2003-5021923-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2003-0040705-40
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0069833-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0535076-39
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0084115-64
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0287188-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하되, 상기 펜타센 박막은 상온에서 5~7Å/sec의 속도로 증착하는 단계;상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하되, 상기 펜타센 박막은 비정질 결정상을 가지는 박막이며, 60℃의 온도에서 7Å/sec의 속도로 증착하는 단계;상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법
5 4
다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하되, 상기 펜타센 박막은 비정질 결정상을 가지는 박막이며, 60℃의 온도에서 7Å/sec의 속도로 증착하는 단계;상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.