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하기 화학식 1의 알킬설포네이트기로 치환된 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 음이온성 화합물로 구성된 전도성 음이온성 화합물 층 또는 하기 화학식 2의 양이온성 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 양이온성 화합물로 구성된 전도성 양이온성 화합물 층을 포함하는 전기전도성 화합물 층 사이에 덱스트란 설페이트, 폴리-L-리신(p-Lys) 및 폴리-L-글루탐산(p-Glu)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 음이온성 화합물로 구성된 비전도성 음이온성 화합물 층, 폴리(에틸렌 이민)(PEI, 90%, MW 60000), 도핑된 폴리아닐린, (트리페닐포스포라닐리덴)암모늄 클로리드(BTPPA+Cl), 옥틸트리메틸암모늄 브롬(OTAB), 데실트리메틸암모늄 브롬 (DeTAB), 도데실트리메틸암모늄 브롬(DTAB) 및 캐티오닉 키토산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 양이온성 화합물로 구성된 비전도성 양이온성 화합물 층 또는 상기 비전도성 음이온성 화합물 층과 비전도성 양이온성 화합물 층을 포함하는 비전도성 화합물 층 구역이 삽입되어 적층된 전도성 박막
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1 및 화학식 2의 할로겐 원소는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이고, 상기 화학식 1의 알칼리금속 이온은 나트륨 이온, 칼륨 이온 또는 리튬 이온이고, 상기 화학식 1의 테트라알킬암모늄 이온은 암모늄 이온, 테트라메틸암모늄 이온, 테트라에틸암모늄 이온 또는 테트라부틸암모늄 이온인 전도성 박막
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제 1항 또는 제 4항에 있어서,상기 전도성 또는 비전도성 음이온성 화합물 층과 전도성 또는 비전도성 양이온성 화합물 층이 교대로 배열된 전도성 박막
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제 1항 또는 제 4항에 있어서,상기 전도성 화합물 층 사이에 삽입된 하나의 비전도성 화합물 층 구역의 두께가 1nm 내지 100nm인 전도성 박막
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기판을 하기 화학식 1의 알킬설포네이트기로 치환된 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 음이온성 화합물로 구성된 전도성 음이온성 화합물 용액 또는 하기 화학식 2의 양이온성 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 전도성 양이온성 화합물로 구성된 전도성 양이온성 화합물 용액에 디핑하여 상기 기판에 전도성 음이온성 또는 전도성 양이온성 화합물의 단분자막을 형성하는 단계(I); 및 상기 기판에 형성된 단분자막과 반대 전하의 이온성을 갖는 전도성 음이온성 화합물 또는 전도성 양이온성 화합물 용액 또는 덱스트란 설페이트, 폴리-L-리신(p-Lys) 및 폴리-L-글루탐산(p-Glu)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 음이온성 화합물로 구성된 비전도성 음이온성 화합물 용액, 폴리(에틸렌 이민)(PEI, 90%, MW 60000), 도핑된 폴리아닐린, (트리페닐포스포라닐리덴)암모늄 클로리드(BTPPA+Cl), 옥틸트리메틸암모늄 브롬(OTAB), 데실트리메틸암모늄 브롬 (DeTAB), 도데실트리메틸암모늄 브롬(DTAB) 및 캐티오닉 키토산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 비전도성 양이온성 화합물로 구성된 비전도성 양이온성 화합물 용액 또는 상기 비전도성 음이온성 화합물 용액과 비전도성 양이온성 화합물 용액을 포함하는 비전도성 화합물 용액에 디핑하여 상기 기판에 전도성 또는 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 적어도 2회 이상 반복하는 단계(II)를 포함하며, 상기 II 단계는 적어도 하나의 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 포함하나 최종 단계는 전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계인 전도성 박막의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전도성 또는 비전도성 음이온성 화합물 용액은 0
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제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 화학식 1 및 화학식 2의 상기 할로겐 원소는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이고, 상기 화학식 1의 알칼리금속 이온은 나트륨 이온, 칼륨 이온 또는 리튬 이온이고, 상기 화학식 1의 테트라알킬암모늄 이온은 암모늄 이온, 테트라메틸암모늄 이온, 테트라에틸암모늄 이온 또는 테트라부틸암모늄 이온인 전도성 박막의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 화합물 용액에의 디핑이 0
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제 9항에 있어서, 상기 기판은 표면처리된 ITO 투명기판, 실리콘웨이퍼, 백금전극, 금전극 또는 전도성 입자가 코팅된 유리, 석영, 플라스틱 필름, 마이카, 실리콘웨이퍼, 알루미늄판, 글래시 카본, 유기기재 또는 반사막인 전도성 박막의 제조방법
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