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유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015209768
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실온에서 제작가능하고, 발광 소자의 스위칭 소자로 사용되는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로 본 발명은 스퍼터링에 의하여 상온 내지 100℃이하에서 형성된 알루미늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공함으로써 저비용 및 대면적으로 유기 박막 트랜지스터를 제조 할 수 있으며 또한 낮은 온도의 공정으로도 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있어 플라스틱, 유리와 같은 고온 공정에 취약한 기판을 사용할 수 있다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터의 점멸 전류비는 약 106으로 일반적인 디스플레이 장치를 구동할 수 있다. 유기 박막 트랜지스터, 펜타센, 게이트 절연막, 알루미늄 산화막
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0525(2013.01) H01L 51/0525(2013.01) H01L 51/0525(2013.01)
출원번호/일자 1020040026076 (2004.04.16)
출원인 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0678771-0000 (2007.01.29)
공개번호/일자 10-2005-0031858 (2005.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20070202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020030067717   |   2003.09.30
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성일 대한민국 서울특별시 마포구
2 이지열 대한민국 서울특별시서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0155733-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068861-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0586182-90
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0032392-76
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0118207-32
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0181944-29
8 의견서
Written Opinion		 2006.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-5021779-12
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0438505-07
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0694943-72
11 의견서
Written Opinion		 2006.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0694924-15
12 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0044323-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 위에 전도성 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 알루미늄 산화막을 상온 내지 100℃에서 알루미나 세라믹 타겟을 이용한 RF 스퍼터링에 의하여 형성하는 단계; 상기 알루미늄 산화막 상에 유기 반도체층을 상온 내지 100℃에서 형성하는 단계; 및 상기 유기 반도체층 위에 서로 소정 간격 이격된 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 유기반도체 층은 비정질-결정질 혼합상 펜타센 박막인 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항의 어느 한 항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링은 Ar만의 분위기에서 이루어지는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항의 어느 한 항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링은 Ar과 O2가 혼합된 분위기 하에서 이루어지는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
반도체 기판 위에 전도성 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상부에 알루미늄 산화막을 상온 내지 100℃에서 알루미나 세라믹 타겟을 이용한 RF 스퍼터링에 의하여 형성하는 단계; 상기 알루미늄 산화막 상에 유기 반도체층을 상온 내지 100℃에서 형성하는 단계; 및 상기 유기 반도체층 위에 서로 소정 간격 이격된 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 RF 스퍼터링은 Ar만의 분위기에서 이루어지는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1항의 제조방법에 의하여 제조되며,전도성 게이트 전극이 상부에 형성된 기판; 상기 게이트 전극 상에 형성된 알루미늄 산화막; 상기 알루미늄 산화막 상에 형성되고 상기 게이트 전극과 실질적으로 중첩되는 유기 반도체층; 및 유기 반도체층 상에 형성된 서로 이격된 드레인 영역 및 소오스 영역을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
7 7
제 6항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 비정질-결정질 펜타센 박막인 유기 박막 트랜지스터
8 8
제 6항 또는 제 7항의 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 ITO 코팅 유리인 유기 박막 트랜지스터
9 9
제 6항 또는 제 7항의 어느 한 항에 있어서, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 190nm 내지 450nm인 유기 박막 트랜지스터
10 10
제 6항에 있어서, 전도성 게이트 전극이 상부에 형성된 기판; 상기 게이트 전극 상에 형성된 알루미늄 산화막; 상기 알루미늄 산화막 상에 형성되고 상기 게이트 전극과 실질적으로 중첩되는 유기 반도체층; 및 유기 반도체층 상에 형성된 서로 이격된 드레인 영역 및 소오스 영역을 포함하고,상기 알루미늄 산화막은 RF 스퍼터링에 의하여 형성되며, 상기 RF 스퍼터링은 Ar만의 분위기에서 이루어지는 유기 박막 트랜지스터
11 11
제 6항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링은 Ar과 O2가 혼합된 분위기 하에서 이루어지는 유기 박막 트랜지스터
12 12
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