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고분자 전해질 연료 전지용 술폰화 폴리이미드 제조방법및 이를 이용한 전해질막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015209850
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연료가 가진 화학에너지를 전기화학반응에 의해 직접 전기에너지로 변환시키는 연료전지의 전해질막에 관한 것으로서, 다이아민과 다이안하이드라이드를 반응시켜 고분자 연료전지용 전해질막 재료로 사용되는 신규한 술폰화 폴리이미드를 제조하고, 제조된 상기 술폰화 폴리이미드를 이용하여 연료전지에 사용되는 전해질막을 제조하는 것에 관한 것이다.본 발명에 따른 전해질막은 상온으로부터 고온까지의 넓은 온도범위에서 운전 가능하며, 내열성, 내화학성 및 내열응력이 뛰어난 고분자 전해질 연료전지용 전해질막이다.연료전지, 전해질막, 다이아민, 다이안하이드라이드, 술폰화 폴리이미드, 공중합 술폰화 폴리이미드
Int. CL H01M 8/10 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020020009789 (2002.02.23)
출원인 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0449788-0000 (2004.09.13)
공개번호/일자 10-2003-0070312 (2003.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20040922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.23)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한학수 대한민국 서울특별시 송파구
2 서종철 대한민국 서울특별시영등포구
3 이상엽 대한민국 경기도고양시덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
2 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0054509-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0048335-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0457105-23
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0024208-82
6 의견서
Written Opinion
2004.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-5009627-30
7 등록결정서
Decision to grant
2004.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0235551-67
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5142734-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
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번호 청구항
1 1

하기 화학식 1로 표현되는 반복단위를 가진 술폰화 폴리이미드:

2

하기 화학식 2로 표현되는 반복단위를 가진 공중합 술폰화 폴리이미드:

3

하기 화학식 3으로 표현되는 반복단위를 가진 폴리이미드 전구체:

4

온도 60 내지 100 , 질소분위기 하에서 다이아민을 유기용매에 용해시킨 후 트리알킬아민을 첨가하고, 상기 트리알킬아민이 첨가된 혼합물에 다이안하이드라이드를 혼합하며, 상기 다이안하이드라이드가 혼합된 혼합물에 촉매를 첨가한 뒤 2 내지 5시간동안 교반하고, 상기 교반이 종료된 후 100 내지 200℃ 로 승온시켜 10 내지 30시간 동안 상기 혼합물을 반응시키고, 반응이 종료된 후 상기 반응물을 20 내지 30 로 냉각시키는 것을 포함하는 제 1항에 따른 술폰화 폴리이미드의 제조방법

5 5

제 4항에 있어서,

상기 다이아민이 4,4'-디아미노 바이페닐-2,2'-디설포닉 에시드(BDSA), 2,4-디아미노벤젠설포닉 에시드(2,5-DASA), 3,5-디아미노벤젠설포닉 에시드(3,5-DASA), 3,5-디아미노벤조익 에스드(3,5-DABA), 4,4'-옥시디페닐렌 다이아민(4,4'-ODA), 3,4'-옥시데페닐렌 다이아민(3,4-ODA), 1,4-페닐렌 다이아민(PDA), 4,4'-설포닉 다이아민(4,4'-DDS), 3,3'-설포닉 다이아민(3,3'-DDS), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-바이페닐 및 H2N∼(CH)ℓ∼NH2(ℓ=4 내지 10)인 것을 특징으로 하는 술폰화 폴리이미드의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서,

상기 다이안하이드라이드가 4,4'-헥사플루오로이소프로필렌)디프탈산 이무수물(6FDA), 피로펠리트산 이무수물(PMDA), 3,3' 4,4'-바이페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 3,3' 4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물(BTDA) 및 3,3' 4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 이무수물인 것을 특징으로 하는 술폰화 폴리이미드의 제조방법

7 7

온도 60 내지 100℃, 질소분위기 하에서 서로 다른 두 종류의 다이아민을 혼합하여 유기용매에 용해시킨 후 트리알킬아민을 첨가하고, 상기 트리알킬아민이 첨가된 혼합물에 다이안하이드라이드를 혼합하며, 상기 다이안하이드라이드가 혼합된 혼합물에 촉매를 첨가한 뒤 2 내지 5시간동안 교반하고, 상기 교반이 종료된 후 100 내지 200℃로 승온시켜 10 내지 30시간 동안 상기 혼합물을 반응시키고, 반응이 종료된 후 상기 반응물을 20 내지 30℃로 냉각키는 것을 포함하는 제 2항에 따른 공중합 술폰화 폴리이미드의 제조방법

8 8

제 7항에 있어서,

상기 다이아민이 4,4'-디아미노 바이페닐-2,2'-디설포닉 에시드(BDSA), 2,4-디아미노벤젠설포닉 에시드(2,5-DASA), 3,5-디아미노벤젠설포닉 에시드(3,5-DASA), 3,5-디아미노벤조익 에스드(3,5-DABA), 4,4'-옥시디페닐렌 다이아민(4,4'-ODA), 3,4'-옥시데페닐렌 다이아민(3,4-ODA), 1,4-페닐렌 다이아민(PDA), 4,4'-설포닉 다이아민(4,4'-DDS), 3,3'-설포닉 다이아민(3,3'-DDS), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-바이페닐 및 H2N∼(CH)ℓ∼NH2(ℓ=4 내지 10)인 것을 특징으로 하는 공중합 술폰화 폴리이미드의 제조방법

9 9

제 7항에 있어서,

상기 다이안하이드라이드가 4,4'-헥사플루오로이소프로필렌)디프탈산 이무수물(6FDA), 피로펠리트산 이무수물(PMDA), 3,3' 4,4'-바이페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 4,4'-시디프탈산 이무수물, 3,3' 4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물(BTDA) 및 3,3' 4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 이무수물인 것을 특징으로 하는 공중합 술폰화 폴리이미드의 제조방법

10 10

질소분위기 하에서 전체 혼합물 중량당 3 내지 10중량%의 다이아민을 75 내지 90중량%의 유기용매에 완전히 용해시킨 후 다이안하이드라이드 7 내지 11중량%를 상기 유기용매에 혼합하고, 상기 혼합물을 20 내지 30시간 동안 교반하여 반응시키고, 반응이 완료된 상기 반응물에 과량의 알코올을 첨가하며 빠르게 교반시는 것을 포함하는 제 3항에 따른 폴리이미드 전구체의 제조방법

11 11

제 10항에 있어서,

상기 다이아민이 4,4'-디아미노 바이페닐-2,2'-디설포닉 에시드(BDSA), 2,4-디아미노벤젠설포닉 에시드(2,5-DASA), 3,5-디아미노벤젠설포닉 에시드(3,5-DASA), 3,5-디아미노벤조익 에스드(3,5-DABA), 4,4'-옥시디페닐렌 다이아민(4,4'-ODA), 3,4'-옥시데페닐렌 다이아민(3,4-ODA), 1,4-페닐렌 다이아민(PDA), 4,4'-설포닉 다이아민(4,4'-DDS), 3,3'-설포닉 다이아민(3,3'-DDS), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)-바이페닐 및 H2N∼(CH)ℓ∼NH2(내지 10)인 것을 특징으로 하는 술폰화 폴리이미드 전구체의 제조방법

12 12

제 10항에 있어서,

상기 다이안하이드라이드가 4,4'-헥사플루오로이소프로필렌)디프탈산 이무수물(6FDA), 피로펠리트산 이무수물(PMDA), 3,3' 4,4'-바이페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 3,3' 4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물(BTDA) 및 3,3' 4,4'-디페닐설폰테트라카르복실산 이무수물인 것을 특징으로 하는 술폰화 폴리이미드 전구체의 제조방법

13 13

상기 화학식 1로 표현되는 반복단위를 갖는 술폰화 폴리이미드 및/또는 상기 화학식 2로 표현되는 반복단위를 갖는 공중합 술폰화 폴리이미드를 포함하는 고분자 연료전지용 전해질막 조성물

14 14

제 13항 있어서,

무기 첨가제를 더 포함하는 고분자 연료전지용 전해질막 조성물

15 15

제 14항에 있어서,

상기 무기 첨가제는 H2PO4, TiO2, Al2O3 또는 Hm(XxYyOz)(nH2O) 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상을 물질을 포함하는 고분자 연료전지용 전해질막 조성물:

상기식에서, X는 B, Al, Ga, Si, Ge, Sn, P, As, Sb, Te 및 제 1, 2, 3 그룹 전이원소 중에서 선택된 어느 하나이며, Y는 제 1, 2, 3 그룹 전이원소 중에 선택된 어느 하나이다

16 16

상기 화학식 1로 표현되는 술폰화 폴리이미드 분말 및/또는 화학식 2로 표현되는 공중합 술폰화 폴리이미드 분말을 유기용매에 완전히 용해시킨 후 웨이퍼 상에 상기 유기용매를 붓고, 상기 웨이퍼를 스핀 코우터를 이용하여 100 내지 5000rpm의 속도로 10 내지 300초간 회전시키고, 상기 스핀 코우터의 회전에 의하여 제조된 전해질막을 진공오븐내에서 80 내지 180℃온도, 20 내지 30시간 동안 건조시켜 유기용매를 증발시킴을 포함하는 고분자 연료전지용 전해질막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.