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고성능 투명 전극 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015210540
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고성능 투명 전극 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 고성능 투명 전극 소자 제조 방법은 반도체 기판을 제공하는 단계, 상온(Room temperature)에서 상기 반도체 기판 상에 투명 전극 물질을 증착하여 투명 전극을 형성하는 단계 및 상기 투명 전극을 열처리 하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020140062288 (2014.05.23)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1517077-0000 (2015.04.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 인천광역시 연수구
2 윤주형 대한민국 서울특별시 관악구
3 김현엽 대한민국 대구광역시 수성구
4 김현기 대한민국 전라북도 군산시 월명로 *** (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0487680-35
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0507141-18
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0510406-83
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.22 수리 (Accepted) 9-1-2014-0060763-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0574876-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0861489-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0861478-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091252-23
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0873268-83
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0075011-59
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0075028-24
13 등록결정서
Decision to grant
2015.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0189875-11
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0376253-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 제공하는 단계;상온(Room temperature)에서 상기 반도체 기판 상에 투명 전극 물질을 증착하여 투명 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명 전극을 열처리 하는 단계를 포함하되,상기 투명 전극은 ITO(Indium-tin-oxide)를 포함하고,상기 투명 전극의 두께는 50nm 내지 1000nm이고,상기 열처리 단계는 상기 투명 전극 내의 Sn이 상기 반도체 기판으로 확산되는 단계를 포함하고,상기 Sn의 상기 반도체 기판 내의 확산 거리는 200nm 이하인 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판은 Si, Ge, 또는 GaAs 중에서 적어도 하나를 포함하는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 600℃에서 수행되는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 열처리는 1분 내지 60분 동안 수행되는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 투명 전극 물질 상에 도전성 물질을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 제1 전극은 Ag, Au, Pt, Al 또는 Cu 중 적어도 하나를 포함하는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서,상기 반도체 기판 아래에 도전성 물질을 포함하는 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극은 동시에 형성되는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
13 13
제 1항에 있어서,상기 반도체 기판은 유연(flexible) 기판을 포함하는 고성능 투명 전극 소자 제조 방법
14 14
제1항, 제4항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성되는 고성능 투명 전극 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.