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고효율 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015211280
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 태양전지는 p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 기판을 포함하고, 상기 기판의 표면은 특정 주기를 갖는 오목부 패턴을 복수 개 포함하며, 오목부 패턴과 인접한 다른 오목부 패턴 사이의 거리가 0.5 ㎛ 내지 5 ㎛ 범위이다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020130161547 (2013.12.23)
출원인 군산대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0073623 (2015.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 군산대학교산학협력단 대한민국 전라북도 군산시 대학로 *** (

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 전북 군산시 용둔길 **, *
2 김동욱 대한민국 서울 영등포구
3 이은송이 대한민국 서울 서대문구
4 홍승혁 대한민국 전북 군산시 신평*길 **-**, ***호 (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1177793-47
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0807407-52
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0077705-73
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0188103-78
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0284907-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0284908-34
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590267-67
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0938906-50
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.09.25 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2015-0938904-69
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0711458-31
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2015.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0711455-05
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5142778-85
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038912-94
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153535-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 기판을 포함하고,상기 기판의 표면은 특정 주기를 갖는 오목부 패턴을 복수 개 포함하며,상기 오목부 패턴과 인접한 다른 오목부 패턴 사이의 거리가 0
2 2
제1 항에 있어서,상기 오목부 패턴의 폭은 1 내지 6 ㎛ 범위인 태양전지
3 3
제1 항에 있어서,상기 오목부 패턴은 반구 형태, 기둥 형태 및 역피라미드 형태로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 태양전지
4 4
제1 항에 있어서,상기 오목부 패턴의 수평 단면은 원 또는 다각형인 태양전지
5 5
제1 항에 있어서,상기 오목부 패턴과 인접한 다른 오목부 패턴 사이의 거리가 1 내지 3 ㎛ 범위인 태양전지
6 6
제1 항에 있어서,상기 오목부 패턴은 매트릭스 형태로 배열된 태양전지
7 7
제1 항에 있어서,상기 n형 반도체층 상에 보호막층을 더 포함하는 태양전지
8 8
제7 항에 있어서,상기 보호막층은 질화실리콘(SiNx), 실리콘 산화물 (SiO, SiO2), MgF2, MgO, Al2O3 의 물질중에서, 하나 이상을 사용하는 태양전지
9 9
제7 항에 있어서,상기 보호막층의 두께는 50 내지 90 nm 범위인 태양전지
10 10
p형 반도체 기판의 적어도 일면에 특정 주기로 반복되는 오목부 패턴을 형성하는 단계, 및상기 오목부 패턴이 형성된 면에 n형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 오목부 패턴을 형성하는 방법은 포토레지스트법으로 이루어지는 태양전지 제조방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 n형 반도체를 형성하는 단계는 n형 도핑법으로 이루어지는 태양전지 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,n형 도핑법은 상기 패턴이 형성된 면에 n형 도핑 소스를 열처리하여 이루어지는 태양전지 제조방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 n형 반도체층 상에 보호막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.