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제1전극과 상기 제1전극의 상부에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 형광층 및상기 형광층의 상부에 형성되는 제2전극을 포함하며,상기 형광층은 상기 나노와이어가 상기 제1전극의 평면에 수평한 방향으로 배열되어 형성되고, 상기 나노와이어 사이에 형성되는 공간을 포함하는 상기 형광층의 상부에 형성되는 평탄화층을 더 포함하며,상기 나노와이어는 상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 무기 발광 재료는 적색 형광체로서 CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce; SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 무기 발광 재료는 녹색 형광체로서 ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8
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제 1항에 있어서,상기 무기 발광 재료는 청색 형광체로서 SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 무기 발광 재료는 YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어는 그 직경이 1㎚ - 300nm이며, 길이가 2㎚ - 500um를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
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