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기판 상에 형성되는 게이트 전극과상기 게이트 전극 상에 형성되는 게이트 절연막과상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 게이트 전극을 가로 지르도록 형성되는 나노와이어층 및상기 게이트 절연막의 상부에서 나노와이어의 양측에 각각 접촉되도록 형성되는 소스 극과 드레인 전극을 포함하며,상기 나노와이어층은 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 접촉되는 접촉 영역이 산소 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 접촉 영역은 레이저 어닐링 처리되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어층은 하나의 나노와이어 또는 복수의 나노와이어가 배열되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어층은 복수의 나노와이어에 의한 그물망 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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5
제 1항에 있어서,상기 나노와이어층은 투명 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어층은 In2O3, ZnO 및 SnO2으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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7
제 1항에 있어서,상기 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극은 ITO, ZTO 또는 FTO로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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8
제 1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼 기판, 유리 기판 또는 폴리머 기판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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9
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계;상기 게이트 전극의 상부를 포함하는 영역에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성단계;상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 게이트 전극을 가로 지르도록 나노와이어층을 형성하는 나노와이어층 형성단계;상기 나노와이어층의 양측에 접촉 영역이 노출되도록 상기 나노와이어층의 상부에 차폐층을 형성하는 차폐층 형성단계;상기 나노와이어층과 차폐층에 산소 플라즈마 처리를 하는 산소 플라즈마 처리단계;상기 나노와이어층의 접촉 영역과 연결되도록 소스 전극과 드레인 전극을 상기 게이트 절연막의 상부에 형성하는 소스 전극 및 드레인 전극 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
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10
제 9항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리단계 후에 또는 상기 소스 전극 및 드레인 전극 형성단계 후에 상기 나노와이어층의 접촉 영역에 레이저를 조사하여 어닐링하는 레이저 어닐링 처리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
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11
제 9항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리단계 후에 상기 차폐층을 제거하는 차폐층 제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 나노와이어층 형성단계는 상기 나노와이어층이 적어도 하나의 나노와이어가 배열되도록 형성되거나, 복수의 나노와이어가 그물망 형상을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
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13
기판 상에 형성되는 나노와이어층과상기 나노와이어층의 상부에 형성되는 게이트 절연막과상기 기판의 상부에서 상기 나노와이어층의 양측에 각각 접촉 영역이 형성되도록 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극 및 상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 접촉 영역 사이의 상기 나노와이어층에 대응되는 영역에 형성되는 게이트 전극을 포함하며,상기 나노와이어층은 상기 접촉 영역이 산소 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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14
제 13항에 있어서,상기 나노와이어층은 레이저 어닐링 처리되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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제 13항에 있어서,상기 나노와이어층은 하나의 나노와이어, 복수의 나노와이어가 배열되는 형상 또는 복수의 나노와이어에 의한 그물망 형상을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
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