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무기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015211527
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무기 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 높은 기계적 강도와 긴 수명을 가지며 전체적으로 균일하면서 높은 발광 효율을 유지할 수 있는 무기 발광 소자에 관한 것이다. 무기 발광 재료, 나노와이어, 코팅,
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) H05B 33/14 (2011.01) H05B 33/10 (2011.01)
CPC H05B 33/145(2013.01) H05B 33/145(2013.01) H05B 33/145(2013.01) H05B 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020080136771 (2008.12.30)
출원인 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1005393-0000 (2010.12.24)
공개번호/일자 10-2010-0078492 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20101230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주상현 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0904468-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0009565-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0087153-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0151332-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0151331-32
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0188574-11
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0429516-79
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0501463-15
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0574541-78
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574540-22
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549730-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5105476-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027623-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027621-72
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0437107-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극과 상기 제1전극의 상부에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 형광층 및 상기 형광층의 상부에 형성되는 제2전극을 포함하며, 상기 형광층은 복수의 나노와이어가 코팅되며, 상기 복수의 나노와이어는 상기 제1전극의 상면에 수평한 방향으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 형광층은 상기 복수의 나노와이어가 분산된 극성 용매를 적하시킨 후 전기장을 인가하는 전계에 의한 분산, 랜덤 분산 또는 일렬 배열 방법에 의하여 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서 상기 형광층은 상기 복수의 나노와이어와 유기물의 나노 혼합물이 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
4 4
제 3항에 있어서, 상기 나노 혼합물은 스핀코팅법, 잉크젯 방법, 레이져 전사법, 나노 임플렌테이션법 또는 실크스크린 프린팅법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
5 5
제 3항에 있어서, 상기 유기물은 코팅 후에 가열 과정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
6 6
제 3항에 있어서, 상기 유기물은 전도성 고분자 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지, 광투과 에폭시 수지 및 광투과 실리콘 수지로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
7 7
제 3항에 있어서, 상기 유기물은 발광 활성제 또는 나노와이어 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 상기 제1전극의 상면에 불규칙한 방향으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 상기 제1전극과 제2전극 사이의 거리보다 짧은 길이로 형성되며, 상기 형광층의 내부에서 랜덤하게 배열되어 서로 연결되어 랜덤 네트워크를 형성하는 것을 무기 발광 소자
10 10
제 1항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 형광층 사이에 형성되는 제1절연층과 상기 제2전극과 상기 형광층 사이에 형성되는 제2절연층 중 적어도 어느 하나의 층을 더 포함하며, 상기 제1절연층과 제2절연층은 유기재료, 무기재료 또는 유기재료와 무기재료의 복합재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
11 11
절연기판과 상기 절연기판의 상부 일측에 바 형상으로 형성되는 제1전극과 상기 절연기판의 상부 타측에 상기 제1전극과 이격되어 바 형상으로 형성되는 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 형성되며, 무기 발광 재료로 형성되는 복수의 나노와이어를 포함하는 형광층을 포함하며, 상기 형광층은 복수의 나노와이어가 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 형광층은 상기 나노와이어가 분산된 극성 용매를 적하시킨 후 전기장을 인가하는 전계에 의한 분산, 랜덤 분산 또는 일렬 배열 방법에 의하여 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
13 13
제 11항에 있어서 상기 형광층은 상기 나노와이어와 유기물의 나노 혼합물이 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
14 14
제 11항에 있어서, 상기 나노 혼합물은 스핀코팅법, 잉크젯 방법, 레이져 전사법, 나노 임플렌테이션법 또는 실크스크린 프린팅법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
15 15
제 13항에 있어서, 상기 유기물은 코팅 후에 가열 과정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
16 16
제 13항에 있어서, 상기 유기물은 전도성 고분자 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지, 광투과 에폭시 수지 및 광투과 실리콘 수지로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
17 17
제 13항에 있어서, 상기 유기물은 발광 활성제 또는 나노와이어 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
18 18
제 11항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 상기 절연기판의 상면에 수평한 방향 또는 상기 제1전극과 제2전극 사이에서 불규칙한 방향으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
19 19
제 11항에 있어서, 상기 복수의 나노와이어는 상기 제1전극과 제2전극 사이의 거리보다 짧은 길이로 형성되며, 상기 형광층의 내부에서 랜덤하게 배열되어 서로 연결되어 랜덤 네트워크를 형성하는 것을 무기 발광 소자
20 20
제 11항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 형광층 사이에 형성되는 제1절연층과 상기 제2전극과 상기 형광층 사이에 형성되는 제2절연층 중 적어도 어느 하나의 층을 더 포함하며, 상기 제1절연층과 제2절연층은 유기재료, 무기재료 또는 유기재료와 무기재료의 복합재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 발광 소자
21 21
제 1항 또는 제 11항에 있어서, 상기 무기 발광 재료는 적색 형광체로서 CaS:Eu(Host:dopant), ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce; SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되며, 녹색 형광체로서 ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102138365 CN 중국 FAMILY
2 KR101280551 KR 대한민국 FAMILY
3 US08314544 US 미국 FAMILY
4 US20110148286 US 미국 FAMILY
5 WO2010024652 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2010024652 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102138365 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102138365 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경기대학교 산학협력단 원천기술개발사업-첨단융합기술개발사업-신기술 융합형성장동력사업 신개념의 NSEA방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이개발