맞춤기술찾기

이전대상기술

이산화티탄 나노튜브의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015211552
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이산화티탄 나노튜브의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Ti 박막을 양극산화시 양극산화의 시간, 전압 및 전해질 등의 반응조건을 달리하여 이산화티탄 나노튜브의 기공의 직경과 깊이를 조절할 수 있는 이산화티탄 나노튜브의 제조방법을 제공하는 것이다. 구체적으로는 Ti 박막을 전처리하는 제1단계; Ti 박막을 양극산화법으로 산화하는 제2단계; Ti 박막을 세척, 건조하는 제 3단계; 및 상기 Ti 박막 위에 생성된 TiO2의 아나타제 결정 성장을 위하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 제 4단계;를 포함하여 이루어진 이산화티탄 나노튜브의 제조방법에 관한 것이다. 나노튜브, 이산화티탄, 아나타제, 루타일, 광촉매, 광분해, 양극산화, 양극, TNT
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 23/047 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 23/047(2013.01) C01G 23/047(2013.01) C01G 23/047(2013.01)
출원번호/일자 1020090088204 (2009.09.17)
출원인 (주)에코베이스, 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0032841 (2010.03.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080091481   |   2008.09.18
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.17)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)에코베이스 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정지훈 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정중원 대한민국 경기도 부천시 원미구 부천로 ***, 조강빌딩 *층 (춘의동)(모든국제특허법률사무소)
2 이명택 대한민국 경기도 부천시 원미구 부천로 ***, 조강빌딩 *층 (춘의동)(모든국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0573509-24
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0070053-91
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0584187-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.05.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5091153-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0285987-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0579150-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0579151-71
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0118680-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2013-5056429-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5105476-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027623-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027621-72
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5005188-22
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5005176-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증류수와 Ethanol 용액을 이용하여 초음파 세척기에 세척하고 Acetone으로 씻은 후 건조하는 것을 특징으로 하는 Ti 박막을 전처리하는 제1단계; 양극산화에 사용되는 전해질은 플루오르 이온을 포함하는 HF, NaF, KF, NH4중 어느 하나를 택일하는 것을 특징으로 하고, 상기 양극산화에 사용되는 귀금속은 백금, 금 및 은으로 이루어진 군으로부터 어느 하나를 택일하는 것을 특징으로 하며, 상기 양극산화에 사용되는 전압은 선택되는 전해질의 종류와 반응 정도에 따라 20V 내지 60V 범위 내에서 전압을 걸어주는 것을 특징으로 하고, 상기 Ti 박막을 담고 있는 전해질의 온도를 15℃~25℃정도로 유지하기 위해 전해조 주위에 냉각수가 흐를 수 있게 한 냉각장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 Ti 박막을 양극산화법으로 산화하는 제2단계; 상기 Ti 박막의 TiO2 위에 묻은 전해질을 제거하기 위해 1차적으로 증류수로 씻고, ethanol로 다시 세척하는 것을 특징으로 하고, 수분제거를 위해 데시케이터에 보관되는 것을 특징으로 하는 Ti 박막을 세척, 건조하는 제 3단계; 및 상기 Ti 박막 위에 생성된 TiO2의 아나타제 결정 성장을 위하여 카보라이트를 이용하여 1℃/min으로 450℃까지 열처리 한 후 2시간 동안 이를 유지하는 것을 특징으로 하는 건조된 Ti 박막을 나노튜브로 성장시키는 제 4단계; 를 포함하여 이루어진 이산화티탄 나노튜브의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.