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제1전원선과 제2전원선 사이에 전기적으로 연결되고, 반도체 기능과 발광 기능을 동시에 갖는 나노 와이어 발광 트랜지스터;상기 나노 와이어 발광 트랜지스터, 상기 제2전원선 및 데이터선 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터; 및,상기 나노 와이어 발광 트랜지스터, 상기 데이터선, 상기 캐패시터 및 주사선 사이에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어 발광 트랜지스터는게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막의 위에 형성된 나노 와이어;상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극; 및,상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 일함수가 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어 발광 트랜지스터는나노 와이어;상기 나노 와이어를 덮는 게이트 절연막;상기 나노 와이어와 대응되는 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 그 외주연의 게이트 절연막을 덮는 층간 절연막;상기 층간 절연막을 관통하여 상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극; 및,상기 층간 절연막을 관통하여 상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 일함수가 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어 발광 트랜지스터는나노 와이어;상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극;상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극;상기 나노 와이어, 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 덮는 게이트 절연막; 및,상기 나노 와이어와 대응되는 게이트 절연막의 위에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 일함수가 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터는게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막의 위에 형성된 나노 와이어;상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극; 및,상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터는나노 와이어;상기 나노 와이어를 덮는 게이트 절연막;상기 나노 와이어와 대응되는 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 그 외주연의 게이트 절연막을 덮는 층간 절연막;상기 층간 절연막을 관통하여 상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극; 및,상기 층간 절연막을 관통하여 상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 1 항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터는나노 와이어;상기 나노 와이어의 일단에 연결된 제1전극;상기 나노 와이어의 타단에 연결된 제2전극;상기 나노 와이어, 상기 제1전극 및 상기 제2전극을 덮는 게이트 절연막; 및,상기 나노 와이어와 대응되는 게이트 절연막의 위에 형성된 게이트 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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8
제 1 항에 있어서,상기 캐패시터는상기 기판에 형성된 나노 와이어;상기 나노 와이어를 감싸는 절연층;상기 절연층을 감싸는 제1전극; 및,상기 절연층을 통해 노출된 상기 나노 와이어에 연결된 제2전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 8 항에 있어서,상기 기판에는 상기 절연층과 대응되는 영역에 요홈이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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10
제 1 항에 있어서,상기 캐패시터는나노 와이어;상기 나노 와이어에 연결된 제1전극;상기 나노 와이어를 덮는 절연층; 및,상기 나노 와이어와 대응되는 상기 절연층 위에 형성된 제2전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 2 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극은 투명 도전성 산화물 또는 불투명 금속인 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 2 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 와이어는CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi,ZnS:Tb, ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3:Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu,SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu,YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 혼합물 또는 화합물, 또는ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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13
제 2 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 와이어는ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 12 항에 있어서,상기 나노 와이어에는Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트가 더 추가됨을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 13 항에 있어서,상기 나노 와이어에는Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트가 더 추가됨을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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16
제 5 항 내지 제 7 항중 어느 하나에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 일함수가 같은 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 5 항 내지 제 7 항중 어느 하나에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터의 상부 또는 하부에는 광 차폐 부재가 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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제 2 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 와이어 발광 트랜지스터의 상부 또는 하부에는 칼라 필터가 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 표시 장치
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