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유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015211607
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.일례로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 나노 와이어; 상기 나노 와이어 상에 형성되고, 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 전극에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하는 유기 발광 다이오드를 개시한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020110018802 (2011.03.03)
출원인 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1128102-0000 (2012.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서미숙 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 주상현 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0152840-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0245820-18
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0340516-05
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0039426-64
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0331153-60
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0634573-59
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634572-14
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0487079-47
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0758501-57
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0758504-94
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0588073-65
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0987131-72
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0987130-26
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0056523-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5105476-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027623-63
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027621-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 일부분 상에 분산된 형태로 형성된 씨드 패턴;상기 씨드 패턴으로부터 성장하여 형성된 복수의 나노 와이어;상기 기판 및 상기 복수의 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 기판의 나머지 일부분과, 상기 복수의 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층과 상기 유기 발광층의 계면, 및 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
기판;상기 기판의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 나노 와이어;상기 기판 및 상기 복수의 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 기판의 나머지 일부분과, 상기 복수의 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 복수의 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성되며,상기 제 1 전극층과 상기 유기 발광층의 계면, 및 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
4 4
기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층;상기 제 1 전극층의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 금속 나노 와이어;상기 제 1 전극층 및 상기 복수의 금속 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 금속 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 제 1 전극층의 나머지 일부분과 상기 복수의 금속 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 형성된 금속 씨드 패턴을 포함하고,상기 복수의 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴으로부터 성장하여 형성되며,상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
5 5
삭제
6 6
기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층;상기 제 1 전극층의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 금속 나노 와이어;상기 제 1 전극층 및 상기 복수의 금속 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 금속 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 제 1 전극층의 나머지 일부분과 상기 복수의 금속 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,상기 복수의 금속 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 금속 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성되며,상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
7 7
제 1 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,(a) 별도로 제작된 복수의 나노 와이어를 기판 상에 분산시키는 단계;(b) 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 기판 및 상기 나노 와이어 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;(c) 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 (a) 단계는, 픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 나노 와이어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제 3 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,(a) 기판 상에 복수의 나노 와이어를 분산 형성하는 단계;(b) 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 기판 및 상기 나노 와이어 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;(c) 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (a) 단계는,(a-1) 상기 기판 상에 씨드 패턴을 형성하는 단계; 및(a-2) 상기 씨드 패턴으로부터 성장시켜 상기 복수의 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제 4 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,(a) 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;(b) 별도로 제작된 복수의 금속 나노 와이어를 상기 제 1 전극층 상에 분산시키는 단계;(c) 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 및 상기 금속 나노 와이어 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 (b) 단계는,픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
12 12
제 6 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로, (a) 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 제 1 전극층 상에 복수의 금속 나노 와이어를 분산 형성하는 단계;(c) 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 및 상기 금속 나노 와이어 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고상기 (a) 단계에서,상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 금속 씨드 물질을 패터닝하여 형성하고,상기 (b) 단계에서,상기 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 원천기술개발사업 경기대학교 미래기반기술개발사업 신개념의 NSEA방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이 개발