| 1 |
1
산소가 트랩된 금속 산화물에 딥유브이광을 조사하여 상기 금속 산화물에 트랩된 상기 산소를 분리하는 조사 단계를 포함하며,상기 금속 산화물을 가열하는 가열 단계를 더 포함하며,상기 가열 단계는 상기 조사 단계와 함께 또는 상기 조사 단계의 전 후에 진행되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Ce, Fe, Si, Mn, Mg, Co, Zn, Sn, In, Ti 및 Ge 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 딥유브이광은 딥유브이 엘이디(Deep Ultraviolet light emitting diode), 유브이램프(UV Lamp) 또는 유브이레이저(UV Laser) 중 어느 하나에 의하여 조사되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 가열 단계는 상온보다 높은 온도와 1000℃이하의 온도 사이에서 가열 온도가 설정되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 방법
|
| 6 |
6
판상 또는 블록 형상으로 형성되는 기본 구조체와,금속 산화물이 상기 기본 구조체의 표면에 코팅되어 형성되며, 산소가 트랩되는 금속 산화물층 및상기 금속 산화물층에 딥유브이광을 조사하는 딥유브이광 조사 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 장치
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 기본 구조체는 내부에서 외부로 관통되며 서로 연결되는 다수의 기공이 형성된 3차원 망상 구조로 형성되며,니켈, 알루미늄, 스테인레스 스틸 및 구리에서 선택되는 어느 하나의 금속을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 한원 장치
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 기본 구조체는 표면에 나노 와이어가 코팅되어 형성되며, 상기 나노 와이어는 Fe, Si, Mn, Mg, Co, Zn, Sn, In, Ti 및 Ge중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 금속 산화물로 형성되는 것을 산화물 환원 장치
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Ce, Fe, Si, Mn, Mg, Co, Zn, Sn, In, Ti 및 Ge 중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 장치
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서,상기 딥유브이광 조사 모듈은 딥유브이 엘이디(Deep Ultraviolet light emitting diode), 유브이램프(UV Lamp) 및 유브이레이저(UV Laser) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 장치
|
| 11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 기본 구조체의 하부 또는 상부에 위치하며, 상기 금속 산화물층을 가열하는 가열 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 장치
|
| 12 |
12
제 6 항에 있어서,상기 산화물 환원 장치는 수증기를 상기 금속 산화물층에 접촉시켜 산소를 상기 금속 산화물층에 트랩시키면서 수소 생성 반응에 의하여 수소를 생성하는 수소 생성 장치에서 상기 금속 산화물층에 트랩되어 있는 산소를 제거하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 환원 장치
|
