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기재의 상부에 형성되는 표면층을 포함하며,상기 표면층은 CF(탄화불소)기 또는 CH(탄화수소)기를 포함하는 실란계 화합물을 포함하며,상기 기재의 상면과 상기 표면층의 사이에 형성되며, 표면에 수산화기(-OH) 또는 카르복시기(-COOH)가 형성되는 계면층을 더 포함하며,상기 표면층은 상기 실란계 화합물의 실란기가 상기 수산화기(-OH) 또는 카르복시기(-COOH)와 자기결합되어 형성되며, 상기 계면층은 그래핀, 그래핀옥사이드, 금속 산화물 또는 이들의 혼합물이 디핑 코팅, 스핀 코팅 혹은 스프레이 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 1 항에 있어서,상기 표면층은 하기의 구조식(1)으로 표시되는 실란계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TixOx, FexOy, AlxOy, SixOy, SnxOy, ZnxOy, InxOy, CexOy 및 ZrxOy로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 1 항에 있어서,상기 계면층은 플라즈마 처리 또는 UVO 처리를 통하여 수산화기(-OH) 또는 카르복시기(-COOH)가 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 니켈, 알루미늄, 스테인레스 스틸, 모넬, 인코넬, 텅스텐, 은 티타늄, 몰리브덴, 듀플렉스, 구리 및 철에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질 또는 나무, 유리, 플라스틱, 실리콘, 고무, 탄성체, 발포제, 종이, 세라믹, 콘크리트 및 석고보드에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 8 항에 있어서,상기 금속 물질은 어닐링 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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기재의 상부에 형성되는 표면층을 포함하고, 상기 표면층은 CF(탄화불소)기 또는 CH(탄화수소)기를 포함하는 인산계 화합물을 포함하며,상기 기재의 상면과 상기 표면층의 사이에 형성되며, 표면에 금속기(-M)가 형성되는 계면층을 더 포함하며,상기 표면층은 상기 인산계 화합물의 인산기가 상기 금속기와 자기결합되어 형성되며,상기 계면층은 금속 산화물이 디핑 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 10 항에 있어서,상기 기재는 니켈, 알루미늄, 스테인레스 스틸, 모넬, 인코넬, 텅스텐, 은 티타늄, 몰리브덴, 듀플렉스, 구리 및 철에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질 또는 나무, 유리, 플라스틱, 실리콘, 고무, 탄성체, 발포제, 종이, 세라믹, 콘크리트, 석고보드에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 12 항에 있어서,상기 금속 물질은 어닐링 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 10 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TixOx, FexOy, AlxOy, SixOy, SnxOy, ZnxOy, InxOy, CexOy 및 ZrxOy로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속 산화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 10 항에 있어서,상기 계면층은 플라즈마 처리에 의하여 상기 금속기가 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 10 항에 있어서,상기 표면층은 하기의 구조식(2)으로 표시되는 인산계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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제 1 항에 있어서,상기 표면층은 Octadecylphosphonic acid(OD-PA), (1H,1H,2H,2H-heptadecafluorodec-1-yl) phosphonic acid(HDF-PA) 또는 (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trichlorosilane(HDF-S)로 형성되는 것을 특징으로 하는 방오성을 갖는 표면 구조층
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