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기판;상기 기판 상에 배치되어 외부로부터 전원을 공급받아 회로 동작을 수행하는 회로 패턴층;상기 회로 패턴층 상에 배치되어 상기 회로 패턴층을 절연시키는 절연층; 및상기 절연층 상에 배치되어 상기 회로 패턴층에서 방사되는 전자기파를 차폐하며, 상기 전자기파의 공진점을 쉬프트시키는 쉴드층을 포함하는 전자 소자
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제1 항에 있어서,상기 쉴드층은 2×106 S/m 이상의 전기 전도도를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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제2 항에 있어서,상기 쉴드층은 3㎛ ~ 5㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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제1 항에 있어서,상기 쉴드층은 상기 전자기파가 방사되는 영역 전체를 커버하여 상기 절연층 상에 배열되는 복수의 쉴드 아일랜드로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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도전 패턴이 형성된 제1 기판;상기 제1 기판 상에 배치되어 상기 도전 패턴에 전기적으로 연결되며, 외부 전원을 입력받아 회로 동작을 수행하는 전자 소자; 및상기 전자 소자의 상부에 배치되어 상기 전자 소자로부터 입사되는 전자기파를 일부는 반사시키고 일부는 투과시켜 상기 전자기파의 공진점을 쉬프트시키는 쉴드층을 포함하는 유비쿼터스 장치
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제5 항에 있어서,상기 전자 소자는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 배치되어 외부로부터 전원을 공급받아 회로 동작을 수행하는 회로 패턴층 및 상기 회로 패턴층 상에 배치되어 상기 회로 패턴층을 절연시키는 제1 절연층을 포함하되,상기 쉴드층은 상기 제1 절연층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유비쿼터스 장치
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7
제5 항에 있어서,상기 전자 소자를 감싸며 상기 전자 소자 및 상기 제1 기판 상에 형성되어 상기 전자 소자를 보호하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유비쿼터스 장치
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8
제7 항에 있어서,상기 쉴드층은 상기 제2 절연층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유비쿼터스 장치
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제8 항에 있어서,상기 쉴드층은 상기 전자기파가 방사되는 영역 전체를 커버하여 상기 제2 절연층 상에 배열되는 복수의 쉴드 아일랜드로 형성되는 것을 특징으로 하는 유비쿼터스 장치
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10
제5 항에 있어서,상기 쉴드층은 2×106 S/m 이상의 전기 전도도를 갖는 물질을 포함하여 3㎛ ~ 5㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유비쿼터스 장치
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