맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015211680
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 나노 와이어가 불필요한 위치에 형성되어 전기적인 단락을 발생시키는 문제를 방지할 수 있는 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자에 관한 것이다.일례로, 기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및 나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시켜 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시키는 나노 물질 성장 단계를 포함하는 나노 와이어 제조 방법이 개시된다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100020203 (2010.03.08)
출원인 경기대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1200150-0000 (2012.11.05)
공개번호/일자 10-2011-0101287 (2011.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20121112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.08)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주상현 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서미숙 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김호종 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-*, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경기대학교 산학협력단 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0144346-52
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0745341-91
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0125895-85
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0125894-39
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0442172-32
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0668643-22
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.08.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0691431-90
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0691421-33
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0584264-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5105476-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027623-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027621-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및 나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시키고 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시켜 나노 와이어를 형성하는 나노 물질 성장 단계를 포함하며,상기 촉매 패턴 형성 단계는, 상기 나노 물질을 수평 방향으로 성장시킬 경우, 상기 촉매 패턴의 상면을 덮는 제 1 캡핑층, 상기 촉매 패턴의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층, 및 상기 제 1 캡핑층의 타측에서 수평 방향으로 폭이 좁아지면서 연장되는 제 3 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캡핑층의 상면과 상기 제 3 캡핑층의 상면이 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 촉매 패턴 형성 단계는 상기 촉매 패턴의 상면 가장자리와 측면을 덮는 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 나노 물질 성장 단계는 thermal CVD, laser ablation CVD(LACVD), plasma enhanced CVD(PECVD), LPCVD, MOCVD 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 촉매 패턴은 Au, graphite, Cu, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 나노 물질은CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi,ZnS:Tb, ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu, SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu,YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 화합물, 또는ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 나노 물질은 Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
11 11
제 5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캡핑층은 ITO(Indium Tin Oxide), Ti(Titanium), Cr(Chrome), SiO2, SiNx, Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
12 12
기판;상기 제 1 항, 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 와이어 제조 방법에 의해 상기 기판 위에 수평 방향으로 형성되는 나노 와이어;상기 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 전극; 및상기 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어를 갖는 전자 소자
13 13
기판;상기 기판 위에 형성되는 제 1 전극;상기 제 1 항, 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 와이어 제조 방법에 의해 에 상기 제 1 전극 위에 수직 방향으로 형성되는 나노 와이어; 및상기 나노 와이어의 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어를 갖는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011111944 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2011111944 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011111944 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2011111944 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 경기대학교 산학협력단 원천기술개발사업-미래기반기술개발(첨단융복합분야)/신기술융합형 성장동력사업 신개념에 NSEA 방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이 개발