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여기 광원에 의해 조사되어 광을 방출하는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 실리콘 산질화물 형광체:[화학식 1]Sr2-zSi(O1-xNx)4 :zEu2+ 이며, 0 003c# x 003c# 1이고, 0 003c# z ≤ 0
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산질화물 형광체는 적색 발광 형광체인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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제 2 항에 있어서,상기 적색 발광 형광체의 발광 피크는 610 nm의 주발광 피크를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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제 3 항에 있어서,상기 적색 발광 형광체의 발광 피크는 477 nm의 발광 피크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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제 1 항에 있어서, 상기 여기 광원은 300 nm 내지 330 nm의 범위 내의 자외선, 370 nm 내지 410 nm의 근자외선 및 450 nm 내지 470 nm의 청색 가시광선을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 산질화물 형광체는 β-Sr2SiO4의 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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제 1 항에 있어서,상기 Z는 0
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8
여기 광원에 의해 조사되어 광을 방출하는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 실리콘 산질화물 형광체
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9
제 8 항에 있어서,상기 실리콘 산질화물 형광체는 적색 발광 형광체인 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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10
제 8 항에 있어서,상기 실리콘 산질화물 형광체는 청녹색 대역과 적색 대역의 발광 대역을 동시에 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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11
제 8 항에 있어서, 상기 여기 광원은 300 nm 내지 330 nm의 범위 내의 자외선, 370 nm 내지 410 nm의 근자외선 및 450 nm 내지 470 nm의 청색 가시광선을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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12
제 8 항에 있어서,상기 실리콘 산질화물 형광체는 α'-Sr2SiO4의 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 산질화물 형광체
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13
제 8 항에 있어서,상기 Z는 0
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SrCO3, Si3N4 및 Eu2O3의 화학식을 갖는 전구체 조성물들을 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 결과물을 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법:[화학식 1]Sr2-zSi(O1-xNx)4 :zEu2+ 이며, 0 003c# x 003c# 1이고, 0 003c# z ≤ 0
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15
제 14 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 열처리는 1,650 ℃ 내지 1,800 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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17
SrCO3, Si3N4 및 Eu2O3의 화학식을 갖는 전구체 조성물들 및 금속 M의 산화물, 질화물, 질산화물, 탄산화물, 수산화물 또는 염화물을 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 결과물을 열처리하여 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법:[화학식 2]Sr2-y-zMySi(O1-xNx)4:zEu2+상기 M은 Ca, Ba 및 Mg 중 어느 하나 또는 이들의 조합이며, 0 003c# x 003c# 1, 0 003c# y 003c# 2, 0 003c# z ≤ 0
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18
제 17 항에 있어서,상기 열처리는 질소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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19
제 17 항에 있어서,상기 열처리는 1,650 ℃ 내지 1,800 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형광체의 제조 방법
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20
근자외선 영역, 자외선 영역 및 청색 영역 중 적어도 어느 하나에 속하는 광을 방출하는 여기 광원과 상기 여기 광원의 광 경로 상에 배치되어 상기 광에 의해 조사되어 발광하는 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 하나의 항에 기재된 실리콘 산질화물 형광체를 포함하는 광소자
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제 20 항에 있어서,상기 광소자는 발광 장치, 조명 장치, 및 디스플레이 소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광소자
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