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절연기판 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘 박막을 소정 면적의 활성층으로 패터닝하는 단계;상기 활성층을 포함한 절연기판 상에 게이트 절연막과 게이트 전극막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 게이트 전극막과 게이트 절연막을 패터닝하며, 상기 게이트전 극막이 형성되는 채널영역을 중심으로 상기 활성층을 제1영역과 제2영역으로 구분하는 형성하는 단계;상기 활성층의 제1영역 상면에 제1확산조절층(50)을 형성하는 단계;상기 활성층의 제2영역 상면에 상기 제1확산조절층과 결정화 유도 금속의 확산시간이 다른 제2확산조절층을 형성하는 단계;상기 제1확산조절층과 제2확산조절층의 상면에 각각 상기 결정화 유도 금속의 박막을 형성하는 단계 및상기 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정질 실리콘 박막으로 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1항에 있어서,상기 제1영역과 제2영역은 각각 소스 영역과 드레인 영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제1확산조절층과 제2확산조절층은 두께가 서로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 3항에 있어서,상기 제2확산조절층은 그 두께가 제1확산조절층의 두께보다 크게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 4항에 있어서,상기 제1확산조절층은 10 ∼ 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 3항에 있어서,상기 제1확산조절층과 제2확산조절층은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1항에 있어서,상기 결정화 유도금속은 니켈, 파라듐, 티타늄, 금, 은, 알루미늄, 주석, 구리, 코발트, 크롬, 몰리브덴 중에서 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 퍼니스 어닐링법(furnace annealing method) 또는 급속 어닐링법(RTA method)으로 진행되는 것을 특징으로 하는 금속유도 측면결정화법을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
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