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피형 투명 산화물 반도체 조성 박막의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015212736
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TFT LCD, 투명태양전지 등의 능동형 반도체 소자로의 응용이 가능한 p형의 반도성을 가지는 투명한 산화물 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아래의 조성식으로 표시되는 델라포사이트(delafossite) 구조를 가지는 CuAlO2와 CuGaO2의 고용체 복합금속산화물 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 p형 투명 산화물 반도체 조성 박막의 제작방법을 제공한다.Cu(Al1-xGax)O2 (여기서, 0 < x < 1)p형, 투명, 산화물, 반도체
Int. CL C04B 111/90 (2006.01) C04B 35/45 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01)
출원번호/일자 1020070001670 (2007.01.05)
출원인 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
등록번호/일자 10-0849538-0000 (2008.07.24)
공개번호/일자 10-2008-0064592 (2008.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20080731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세기 대한민국 서울 영등포구
2 최병현 대한민국 서울 양천구
3 지미정 대한민국 경기 광명시 하
4 이미재 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조경화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 한림빌딩 *층 (대치동)(국제특허법률사무소 미래연)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0014084-31
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0608918-72
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0030047-62
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0112892-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0188436-24
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0265651-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0343403-76
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0343406-13
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0315210-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
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번호 청구항
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Cu(Al1-xGax)O2 (0 < x < 1) 조성 박막의 제조 방법에 있어서, 순도 4N의 산화동(CuO)과 알루미나(Al2O3)와 갈륨(Ga) 분말을 화학양론조성이 되도록 볼밀로 혼합한 후, 이 혼합물을 전기로에서 질소(N2)가스 기류 중에서 1100℃에서 4 시간 하소한 다음, 여기서 얻어진 분체를 325메쉬(45㎛) 체로 분급한 뒤 볼밀을 이용하여 다시 미분쇄한 다음, 이를 일축가압 성형한 후, 다시 1,200kg/cm2의 성형압으로 정수압성형을 한 후, 전기로에서 질소(N2)가스 기류 중에서 1100℃에서 12 시간 소성하여 표면을 연마, 세척하여 박막 제조용 타겟을 제조한 다음, 상기 타겟을 통상의 DC/RF 스퍼터링 장치에 장착하여 석영유리 및 (0001)면의 결정 석영기판 상에 박막을 제조함을 특징으로 하는 p형 투명 산화물 반도체 조성 박막의 제작방법
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제 4항에 있어서, DC 스퍼터링의 경우, 타겟과 기판의 거리는 2cm로 고정되고, 상기 기판은 분당 4회 회전되며, 상기 기판의 온도는 150℃로 하는 것을 특징으로 하는 p형 투명 산화물 반도체 조성 박막의 제작방법
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제 4항에 있어서, RF 스퍼터링의 경우, 타겟과 기판의 거리는 8cm로 고정되며, 상기 기판은 분당 4회 회전되고, 기판의 온도는 150℃로 하는 것을 특징으로 하는 p형 투명 산화물 반도체 조성 박막의 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.